《半導體物理性能手冊第2卷（下）》是2014年出版的圖書，作者是足立貞夫。
基本介紹
- 書名：半導體物理性能手冊第2卷（下）
- 作者：足立貞夫
- ISBN：978-7-5603-4517-8
- 類別：A.材料科學與工程類
- 頁數：448
- 定價：248.00元
- 出版時間：2014.04
- 開本：16
- 責編：張秀華
- 所屬叢書：Springer手冊精選原版系列
- 中圖分類：數理科學和化學
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
介紹了各族半導體、化合物半導體的物理性能，包括：結構特性、熱學性質、彈性性質、聲子與晶格振動性質、集體效應及相關性質、能帶結構：能帶隙、能帶結構：電子和空穴的有效質量、電子形變勢、電子親和能與肖特基勢壘高度、光學性質、彈光、電光和非線性光學性質、載流子輸運性質。
圖書目錄
Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
10 Wurtzite Gallium Nitride（a—GaN）
10.1 Structural Properties / 233
10.1.1 Ionicity / 233
10.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight / 233
10.1.3 Crystal Structure and Space Group / 234
10.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters / 234
10.1.5 Structural Phase Transition / 235
10.1.6 Cleavage Plane / 235
10.2 Thermal Properties / 236
10.2.1 Melting Point and Its Related Parameters / 236
10.2.2 Specific Heat / 236
10.2.3 Debye Temperature / 237
10.2.4 Thermal Expansion Coefficient / 238
10.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity / 239
10.3 Elastic Properties / 240
10.3.1 Elastic Constant / 240
10.3.2 Third—Order Elastic Constant / 241
10.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
……
11 Cubic Gallium Nitride （β—GaN）
12 Gallium Phosphide （GAP）
13 Gallium Arsenide （GaAs）
14 Gallium Antimonide （GaSb）
15 Indium Nitride （INN）
16 Indium Phosphide （InP）
17 Indium Arsenide （InAs）
18 Indium Antimonide （InSb）
