半導體熱分析儀是一種用於產品套用相關工程與技術領域的分析儀器，於2008年2月25日啟用。
基本介紹
- 中文名：半導體熱分析儀
- 產地：美國
- 學科領域：產品套用相關工程與技術
- 啟用日期：2008年2月25日
- 所屬類別：分析儀器 > 熱分析儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
0-1(2)安培電流測量準確度：±5mA(±10mA) 儀表顯示：±0.5mA(±1.0mA)0-10(20)安培電流測量準確度：±20mA(±40mA) 儀表顯示：±5mA(±10mA)電壓測量準確度：±0.2%，±10mV儀表顯示：±5mV熱電偶測量準確度：（標準類型T）：±0.15℃典型，±0.15℃最大溫度感應通道準確度：±0.5%，±2%最大脈衝時間準確度/重複性：±0.1%，±1%最大溫度測試延時：最小3毫秒晶片連線脈衝選擇：0.002-1000秒模擬輸出控制連線埠：0-10VDC最大採樣頻率：333kHz繼電器驅動接口： （8），30mA，@最大50mA最大外部供電電壓：50伏最大外部供電電流：10（20）安培感應電流選擇範圍：1mA，5mA，可調整範圍：0.1-50mA加熱和冷卻曲線時間解析度：1微秒加熱和冷卻曲線的跨度：1微秒 - 10000秒加熱和冷卻曲線點繪製每10：15緊湊的動態最佳化模型玩具與2-8離散階段。
主要功能
測試已封裝的半導體器件的熱屬性，包括半導體器件封裝二極體，發光二極體，雙極電晶體，MOSFET，功能模擬/數字積體電路，ACSICS，IGBT的，可控矽，晶閘管等。利用結溫的測量，熱分析儀分析技術準。
