半導體器件10KeV低能X射線總劑量輻照試驗方法

《半導體器件10KeV低能X射線總劑量輻照試驗方法》是2016年6月1日實施的一項行業標準。

基本介紹

• 中文名：半導體器件10KeV低能X射線總劑量輻照試驗方法 
• 實施日期：2016-06-01
• 技術歸口：工業和信息化部電子工業標準化研究院
• 發布日期：2016-01-15
• 批准發布部門：工業和信息化部
• 標準號：SJ/T 11586-2016

起草單位

工業和信息化部電子第五研究所。

起草人

羅宏偉、何玉娟、恩雲飛等。