《半導體器件可靠性物理》是1987年科學出版社出版圖書，作者是高光渤、李學信。
基本介紹
- 中文名：半導體器件可靠性物理
- 作者：高光渤、李學信
- 出版時間：1987年11月
- 出版社：科學出版社
- 書號：15031879
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書重點闡述了發生在半導體器件內部的、導致器件失效的各種物理及化學效應，亦即失效機理。全書共八章，前二章簡要地敘述了半導體器件的工藝結構，參數及溫度特性；後六章分別論述了熱與熱電反饋效應，界面效應、薄膜的高電流密度效應（電徙動）、靜電效應、輻射效應以及化學和電化學效應（濕度效應）．對於各種器件（包括雙極型器件、砷化鎵場效應器件、CMOS、LSI及VLSI）的失效機理，也分別在有關章節中予以闡述．
本書可供從事半導體器件及積體電路設計，製造與套用的科研人員與工程技術人員問讀，也可作為大專院校有關專業高年級學生和研究生的教學參考書．
圖書目錄
目錄
第一章 半導體器件的結構、製造工藝及可靠性
第二章 半導體器件參數及其溫度效應
第三章 熱與熱電反饋效應
第四章 界面效應
第五章 電徙動
第六章 靜電效應
第七章 輻射效應
第八章 濕度效應
主要符號表
