《半導體器件及其製造方法》是三星電子株式會社於2016年10月8日申請的專利，該專利公布號為CN107068565B，專利公布日為2021年6月8日，發明人是金局泰、孫豪成、申東石、沈鉉準、李周利、張星旭。
基本介紹
- 中文名：半導體器件及其製造方法
- 授權公告號：CN107068565B
- 授權公告日：2021年6月8日
- 申請號：2016108790286
- 申請日：2016.10.08
- 專利權人：三星電子株式會社
- 地址：韓國京畿道
- 發明人：金局泰; 孫豪成; 申東石; 沈鉉準; 李周利; 張星旭
- Int. Cl.：H01L21/336(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I
- 專利代理機構：北京天昊聯合智慧財產權代理有限公司11112
- 代理人：張帆; 崔卿虎
- 優先權：10-2015-0140406 2015.10.06 KR
對比檔案,專利摘要,
對比檔案
US 2015228647 A1,2015.08.13; US 2015263136 A1,2015.09.17; CN 102881634 A,2013.01.16; US 2014273368 A1,2014.09.18
專利摘要
本發明公開了一種半導體器件和一種製造半導體器件的方法。可在襯底上形成偽柵電極層和偽柵極掩模層。可將偽柵極掩模層圖案化以形成偽柵極掩模，從而暴露出偽柵電極層的一部分。可通過傾斜離子注入將離子注入偽柵電極層的暴露部分中以及偽柵電極層的與偽柵電極層的暴露部分鄰近的一部分中，以在偽柵電極層中形成生長阻擋層。可利用偽柵極掩模作為蝕刻掩模對偽柵電極層進行蝕刻，以形成偽柵電極。可在包括偽柵電極和偽柵極掩模的偽柵極結構的側表面上形成間隔件。可執行選擇性外延生長工藝，以形成外延層。
