半導體化合物研究與套用叢書·普通高等教育，是一本圖書，2013年12月1日由化學工業出版社出版。
基本介紹
- 中文名：半導體化合物研究與套用叢書·普通高等教育
- 類型：科技
- 出版日期：2013年12月1日
- 語種：簡體中文
- 品牌：化學工業出版社
- ISBN：7122190935
- 作者：許並社
- 出版社：化學工業出版社
- 頁數：258頁
- 開本：16
內容簡介,圖書目錄,編輯推薦,目錄,序言,
《半導體化合物研究與套用叢書·普通高等教育"十二五"規劃教材:半導體化合物光電器件檢測》由化學工業出版社出版。
第1章透射電子顯微鏡
1.1透射電子顯微鏡的結構與成像原理
1.1.1.電磁透鏡
1.1.2照明系統
1.1.3成像系統
1.1.4觀察記錄、真空與供電系統
1.1.5主要部件的結構和工作原理
1.1.6.目前常用電鏡的生產廠家、型號及性能
1.2.TEM樣品製備技術
1.2.1概述
1.2.2非金屬材料薄膜樣品的製備
1.3透射電子顯微鏡電子的成像原理
1.3.1成像操作
1.3.2高分辨電子顯微像
1.3.3電子衍射譜
1.3.4電子衍射花樣的標定
1.4透射電子顯微鏡在LED方面的套用
1.4.1.高分辨透射電子顯微像及選區電子衍射花樣成像
1.4.2界面的失配位錯、堆垛層錯
1.4.3明場像
參考文獻
第2章掃描電子顯微鏡
2.1掃描電子顯微鏡
2.1.1.電子光學系統
2.1.2信號檢測放大系統
2.1.3顯示系統
2.1.4真空系統
2.1.5電源系統
2.2掃描電子顯微鏡成像原理
2.2.1.掃描電子顯微鏡中的信號種類
2.2.2掃描電子顯微鏡的成像原理
2.2.3掃描電子顯微鏡像形成襯度原理
2.2.4掃描電子顯微鏡的主要性能
2.3掃描電子顯微鏡的樣品製備
2.4掃描電子顯微鏡的性能和特點
2.5掃描電子顯微鏡的能譜儀
2.6掃描電子顯微鏡在LED中的套用
參考文獻
第3章原子力顯微鏡
3.1原子力顯微鏡的主要構件
3.2原子力顯微鏡的結構
3.2.1力檢測部分
3.2.2位置檢測部分
3.2.3反饋系統
3.3原子力顯微鏡的原理及工作模式
3.3.1原子力顯微鏡的原理
3.3.2原子力顯微鏡的工作模式
3.4原子力顯微鏡的解析度
3.5原子力顯微鏡的工作環境
3.6雷射檢測原子力顯微鏡
3.7原子力顯微鏡的功能
3.8原子力顯微鏡樣品的要求
3.9原子力顯微鏡在LED方面的套用
參考文獻
第4章薄膜X射線衍射
4.1.X射線衍射基本理論
4.1.1發展和特點
4.1.2.X射線的產生
4.1.3.X射線譜
4.1.4.X射線衍射原理
4.1.5.X射線衍射實驗
4.1.6.X射線衍射分析基本套用
4.2薄膜X射線衍射
4.2.1.原理
4.2.2套用實例
4.3.D8—DISCOVER型高分辨X射線衍射儀
4.3.1儀器構造和原理
4.3.2儀器功能與操作
參考文獻
第5章光致發光和電致發光
5.1光致發光的理論基礎
5.1.1光致發光基本概念
5.1.2輻射發光壽命和效率
5.1.3半導體材料中的輻射複合
5.1.4光致螢光譜
5.2光致發光測試系統和樣品
5.2.1.系統工作原理和構造
5.2.2測試樣品
5.2.3光譜校正
5.3光致螢光譜測試的套用和實例
5.3.1雜質及其濃度的測量
5.3.2化合物組分的測量
5.3.3成分均勻性的測量
5.3.4位錯的測量和表征
5、3.5晶體質量的表征
5.3.6納米半導體材料的測量
5.4電致發光
5.4.1.電致發光的激發條件
5.4.2光譜的測量
5.5發光效率及其測量方法
5.5.1.光致發光材料的發光效率以及測量方法
5.5.2電致發光效率的測量
參考文獻
第6章霍爾效應
6.1基本理論
6.1.1.霍爾效應的基本原理
6.1.2范德堡測試技術
6.2霍爾效應的測試系統
6.2.1.霍爾效應測試儀的結構
6.2.2霍爾效應儀的靈敏度
6.3霍爾效應測試
6.3.1.霍爾效應測試的樣品要求
6.3.2霍爾效應測試的測準條件
6.3.3霍爾效應測試步驟
6.4霍爾效應測試的套用和實例
6.4.1.矽的雜質補償度測量
6.4.2.Zn0的載流子濃度、遷移率和補償度測量
6.4.3矽超淺結中載流子濃度的深度分布測量
參考文獻
第7章LED光電性能測試
7.1.LED發光器件基本參數
7.1.1.LED發光器件的光度學參數
7.1.2.LED發光器件色度學參數
7.1.3.LED發光器件的電性參數
7.2.LED外延片的測試
7.2.1.光致發光譜測試
7.2.2電致發光譜測試
7.3.LED晶片的測試
7.3.1光學參數測試
7.3.2色度參數測量
7.3.3電學性能測試
7.3.4測量結果及分析
參考文獻
第8章太陽電池測試
8.1太陽模擬器
8.1.1.概述
8.1.2太陽輻射的基本特性
8.2單體太陽電池測試
8.2.1.測試項目
8.2.2電性能測試的一般規定
8.2.3測量儀器與裝置
8.2.4基本測試方法
8.2.5從非標準測試條件換算到標準測試條件
8.2.6室外陽光下測試
8.2.7太陽電池內部串聯電阻的測量
8.2.8太陽電池電流和電壓溫度係數的測量
8.3非晶矽太陽電池電性能測試須知
8.3.1校準輻照度
8.3.2光源
8.3.3光譜回響
8.4太陽電流組件測試和環境試驗方法
8.4.1.測試項目
8.4.2組件電性能參數測量中所需的參考組件
8.4.3太陽電池組件測試方法
8.5地面用矽太陽電池組件環境試驗概況
8.5.1.溫度交變
8.5.2高溫貯存
8.5.3低溫貯存
8.5.4恆定濕熱貯存
8.5.5振動、衝擊
8.5.6鹽霧試驗
8.5.7冰雹試驗
8.5.8地面太陽光輻照試驗
8.5.9扭彎試驗
參考文獻
1.1透射電子顯微鏡的結構與成像原理
1.1.1.電磁透鏡
1.1.2照明系統
1.1.3成像系統
1.1.4觀察記錄、真空與供電系統
1.1.5主要部件的結構和工作原理
1.1.6.目前常用電鏡的生產廠家、型號及性能
1.2.TEM樣品製備技術
1.2.1概述
1.2.2非金屬材料薄膜樣品的製備
1.3透射電子顯微鏡電子的成像原理
1.3.1成像操作
1.3.2高分辨電子顯微像
1.3.3電子衍射譜
1.3.4電子衍射花樣的標定
1.4透射電子顯微鏡在LED方面的套用
1.4.1.高分辨透射電子顯微像及選區電子衍射花樣成像
1.4.2界面的失配位錯、堆垛層錯
1.4.3明場像
參考文獻
第2章掃描電子顯微鏡
2.1掃描電子顯微鏡
2.1.1.電子光學系統
2.1.2信號檢測放大系統
2.1.3顯示系統
2.1.4真空系統
2.1.5電源系統
2.2掃描電子顯微鏡成像原理
2.2.1.掃描電子顯微鏡中的信號種類
2.2.2掃描電子顯微鏡的成像原理
2.2.3掃描電子顯微鏡像形成襯度原理
2.2.4掃描電子顯微鏡的主要性能
2.3掃描電子顯微鏡的樣品製備
2.4掃描電子顯微鏡的性能和特點
2.5掃描電子顯微鏡的能譜儀
2.6掃描電子顯微鏡在LED中的套用
參考文獻
第3章原子力顯微鏡
3.1原子力顯微鏡的主要構件
3.2原子力顯微鏡的結構
3.2.1力檢測部分
3.2.2位置檢測部分
3.2.3反饋系統
3.3原子力顯微鏡的原理及工作模式
3.3.1原子力顯微鏡的原理
3.3.2原子力顯微鏡的工作模式
3.4原子力顯微鏡的解析度
3.5原子力顯微鏡的工作環境
3.6雷射檢測原子力顯微鏡
3.7原子力顯微鏡的功能
3.8原子力顯微鏡樣品的要求
3.9原子力顯微鏡在LED方面的套用
參考文獻
第4章薄膜X射線衍射
4.1.X射線衍射基本理論
4.1.1發展和特點
4.1.2.X射線的產生
4.1.3.X射線譜
4.1.4.X射線衍射原理
4.1.5.X射線衍射實驗
4.1.6.X射線衍射分析基本套用
4.2薄膜X射線衍射
4.2.1.原理
4.2.2套用實例
4.3.D8—DISCOVER型高分辨X射線衍射儀
4.3.1儀器構造和原理
4.3.2儀器功能與操作
參考文獻
第5章光致發光和電致發光
5.1光致發光的理論基礎
5.1.1光致發光基本概念
5.1.2輻射發光壽命和效率
5.1.3半導體材料中的輻射複合
5.1.4光致螢光譜
5.2光致發光測試系統和樣品
5.2.1.系統工作原理和構造
5.2.2測試樣品
5.2.3光譜校正
5.3光致螢光譜測試的套用和實例
5.3.1雜質及其濃度的測量
5.3.2化合物組分的測量
5.3.3成分均勻性的測量
5.3.4位錯的測量和表征
5、3.5晶體質量的表征
5.3.6納米半導體材料的測量
5.4電致發光
5.4.1.電致發光的激發條件
5.4.2光譜的測量
5.5發光效率及其測量方法
5.5.1.光致發光材料的發光效率以及測量方法
5.5.2電致發光效率的測量
參考文獻
第6章霍爾效應
6.1基本理論
6.1.1.霍爾效應的基本原理
6.1.2范德堡測試技術
6.2霍爾效應的測試系統
6.2.1.霍爾效應測試儀的結構
6.2.2霍爾效應儀的靈敏度
6.3霍爾效應測試
6.3.1.霍爾效應測試的樣品要求
6.3.2霍爾效應測試的測準條件
6.3.3霍爾效應測試步驟
6.4霍爾效應測試的套用和實例
6.4.1.矽的雜質補償度測量
6.4.2.Zn0的載流子濃度、遷移率和補償度測量
6.4.3矽超淺結中載流子濃度的深度分布測量
參考文獻
第7章LED光電性能測試
7.1.LED發光器件基本參數
7.1.1.LED發光器件的光度學參數
7.1.2.LED發光器件色度學參數
7.1.3.LED發光器件的電性參數
7.2.LED外延片的測試
7.2.1.光致發光譜測試
7.2.2電致發光譜測試
7.3.LED晶片的測試
7.3.1光學參數測試
7.3.2色度參數測量
7.3.3電學性能測試
7.3.4測量結果及分析
參考文獻
第8章太陽電池測試
8.1太陽模擬器
8.1.1.概述
8.1.2太陽輻射的基本特性
8.2單體太陽電池測試
8.2.1.測試項目
8.2.2電性能測試的一般規定
8.2.3測量儀器與裝置
8.2.4基本測試方法
8.2.5從非標準測試條件換算到標準測試條件
8.2.6室外陽光下測試
8.2.7太陽電池內部串聯電阻的測量
8.2.8太陽電池電流和電壓溫度係數的測量
8.3非晶矽太陽電池電性能測試須知
8.3.1校準輻照度
8.3.2光源
8.3.3光譜回響
8.4太陽電流組件測試和環境試驗方法
8.4.1.測試項目
8.4.2組件電性能參數測量中所需的參考組件
8.4.3太陽電池組件測試方法
8.5地面用矽太陽電池組件環境試驗概況
8.5.1.溫度交變
8.5.2高溫貯存
8.5.3低溫貯存
8.5.4恆定濕熱貯存
8.5.5振動、衝擊
8.5.6鹽霧試驗
8.5.7冰雹試驗
8.5.8地面太陽光輻照試驗
8.5.9扭彎試驗
參考文獻
編輯推薦
《半導體化合物研究與套用叢書·普通高等教育"十二五"規劃教材:半導體化合物光電原理》由化學工業出版社出版。
目錄
第1章半導體結構學基礎
1.1半導體的化學結構
1.1.1元素周期表
1.1.2原子結構
1.1.3電離能、電子親和能及電負性
1.1.4結合鍵
1.2半導體晶體學基礎
1.2.1晶體基本概念
1.2.2常見的晶體結構
1.2.3晶體結構缺陷
1.2.4晶體中的界面
1.3半導體的晶體結構
1.3.1ⅣA族元素半導體
1.3.2ⅢA VA族化合物半導體
1.3.3ⅡB—VA族化合物半導體
參考文獻
第2章半導體物理學基礎
2.1能帶理論
2.1.1能帶
2.1.2布里淵區
2.1.3費米分布函式與費米能級
2.2半導體中的雜質與缺陷
2.3半導體的載流子傳輸特性
2.3.1半導體中的載流子
2.3.2半導體中載流子的漂移
2.4半導體中的界面接觸特性
2.4.1功函式
2.4.2半導體的界面接觸
2.5半導體的霍爾效應
2.6pn結
2.6.1空間電荷區
2.6.2能帶圖
2.6.3電流電壓特性
2.6.4理想pn結模型及其電流電壓方程
2.6.5pn結擊穿
2.6.6pn結的隧道效應
2.7量子阱與超晶格
2.7.1單量子阱與二維電子氣
2.7.2多量子阱與超晶格
參考文獻
第3章半導體化合物的電學性質
3.1載流子輸運
3.1.1遷移率
3.1.2電阻率
3.1.3載流子複合和壽命
3.1.4熱電子發射
3.1.5隧穿
3.1.6空間電荷效應
3.2半導體中的能帶
3.3ZnO寬頻隙半導體
3.3.1ZnO半導體能帶
3.3.2n型摻雜與電學性質
3.3.3p型摻雜與電學性質
3.4GaN半導體材料
3.4.1GaN的晶格結構和能帶
3.4.2GaN的電學特性
3.5GaAs半導體材料
3.5.1GaAs的能帶結構及其主要特點
3.5.2GaAs電學特性
3.6其他ⅢA VA族半導體材料
3.6.1InSb的能帶結構及電學特性
3.6.2GaP的能帶結構及電學特性
3.7ⅡB VA族化合物的能帶結構
3.8其他能帶結構
3.8.1固溶體的能帶結構
3.8.2施主和受主能級
3.8.3異質結的能帶圖
3.8.4異型異質結的電學特性
3.9LED發光器件的電參數
參考文獻
第4章半導體化合物的光學特性
4.1光、光度學、輻射度學和色度學的基本概念
4.1.1光的基本概念
4.1.2光度學與輻射度學參數
4.1.3相關色度學參數
4.2光與物質的相互作用
4.2.1線性光學性能
4.2.2非線性光學性能
4.3半導體材料發光性能參數
4.3.1發射光譜
4.3.2吸收光譜
4.3.3激發光譜
4.3.4發光衰減
4.3.5發光效率
4.4半導體的光吸收
4.4.1本徵吸收
4.4.2直接躍遷和間接躍遷
4.4.3其他吸收過程
4.5半導體的光生伏特效應
4.5.1pn結的光生伏特效應
4.5.2光電池的電流電壓特性
4.6半導體發光
4.6.1輻射躍遷
4.6.2發光效率
4.6.3電致發光激發
4.7半導體雷射
4.7.1自發輻射和受激輻射
4.7.2pn結雷射器原理
4.7.3雷射材料
參考文獻
第5章半導體化合物套用簡介
5.1半導體概述
5.1.1半導體材料發展
5.1.2半導體元素材料及套用
5.1.3半導體化合物材料及其套用
5.2半導體化合物在LED產業中的套用
5.2.1LED照明產品
5.2.2顯示領域
5.2.3信息指示領域
5.2.4LED其他領域
5.3半導體化合物太陽電池
5.3.1概述
5.3.2太陽能電源的套用
5.4半導體化合物雷射器
5.4.1概述
5.4.2半導體雷射器發展
5.4.3套用
參考文獻
第6章半導體化合物光電器件
6.1半導體化合物LED器件
6.1.1原理
6.1.2LED器件結構
6.1.3晶片結構
6.1.4幾種典型的襯底LED晶片結構
6.2半導體雷射器
6.2.1概述
6.2.2半導體雷射器的工作原理
6.2.3半導體雷射器結構
6.2.4 半導體雷射器的類型
6.3太陽電池
6.3.1概述
6.3.2太陽電池的原理
6.3.3太陽電池的結構
6.3.4太陽電池的分類
6.3.5太陽電池組件結構
參考文獻
1.1半導體的化學結構
1.1.1元素周期表
1.1.2原子結構
1.1.3電離能、電子親和能及電負性
1.1.4結合鍵
1.2半導體晶體學基礎
1.2.1晶體基本概念
1.2.2常見的晶體結構
1.2.3晶體結構缺陷
1.2.4晶體中的界面
1.3半導體的晶體結構
1.3.1ⅣA族元素半導體
1.3.2ⅢA VA族化合物半導體
1.3.3ⅡB—VA族化合物半導體
參考文獻
第2章半導體物理學基礎
2.1能帶理論
2.1.1能帶
2.1.2布里淵區
2.1.3費米分布函式與費米能級
2.2半導體中的雜質與缺陷
2.3半導體的載流子傳輸特性
2.3.1半導體中的載流子
2.3.2半導體中載流子的漂移
2.4半導體中的界面接觸特性
2.4.1功函式
2.4.2半導體的界面接觸
2.5半導體的霍爾效應
2.6pn結
2.6.1空間電荷區
2.6.2能帶圖
2.6.3電流電壓特性
2.6.4理想pn結模型及其電流電壓方程
2.6.5pn結擊穿
2.6.6pn結的隧道效應
2.7量子阱與超晶格
2.7.1單量子阱與二維電子氣
2.7.2多量子阱與超晶格
參考文獻
第3章半導體化合物的電學性質
3.1載流子輸運
3.1.1遷移率
3.1.2電阻率
3.1.3載流子複合和壽命
3.1.4熱電子發射
3.1.5隧穿
3.1.6空間電荷效應
3.2半導體中的能帶
3.3ZnO寬頻隙半導體
3.3.1ZnO半導體能帶
3.3.2n型摻雜與電學性質
3.3.3p型摻雜與電學性質
3.4GaN半導體材料
3.4.1GaN的晶格結構和能帶
3.4.2GaN的電學特性
3.5GaAs半導體材料
3.5.1GaAs的能帶結構及其主要特點
3.5.2GaAs電學特性
3.6其他ⅢA VA族半導體材料
3.6.1InSb的能帶結構及電學特性
3.6.2GaP的能帶結構及電學特性
3.7ⅡB VA族化合物的能帶結構
3.8其他能帶結構
3.8.1固溶體的能帶結構
3.8.2施主和受主能級
3.8.3異質結的能帶圖
3.8.4異型異質結的電學特性
3.9LED發光器件的電參數
參考文獻
第4章半導體化合物的光學特性
4.1光、光度學、輻射度學和色度學的基本概念
4.1.1光的基本概念
4.1.2光度學與輻射度學參數
4.1.3相關色度學參數
4.2光與物質的相互作用
4.2.1線性光學性能
4.2.2非線性光學性能
4.3半導體材料發光性能參數
4.3.1發射光譜
4.3.2吸收光譜
4.3.3激發光譜
4.3.4發光衰減
4.3.5發光效率
4.4半導體的光吸收
4.4.1本徵吸收
4.4.2直接躍遷和間接躍遷
4.4.3其他吸收過程
4.5半導體的光生伏特效應
4.5.1pn結的光生伏特效應
4.5.2光電池的電流電壓特性
4.6半導體發光
4.6.1輻射躍遷
4.6.2發光效率
4.6.3電致發光激發
4.7半導體雷射
4.7.1自發輻射和受激輻射
4.7.2pn結雷射器原理
4.7.3雷射材料
參考文獻
第5章半導體化合物套用簡介
5.1半導體概述
5.1.1半導體材料發展
5.1.2半導體元素材料及套用
5.1.3半導體化合物材料及其套用
5.2半導體化合物在LED產業中的套用
5.2.1LED照明產品
5.2.2顯示領域
5.2.3信息指示領域
5.2.4LED其他領域
5.3半導體化合物太陽電池
5.3.1概述
5.3.2太陽能電源的套用
5.4半導體化合物雷射器
5.4.1概述
5.4.2半導體雷射器發展
5.4.3套用
參考文獻
第6章半導體化合物光電器件
6.1半導體化合物LED器件
6.1.1原理
6.1.2LED器件結構
6.1.3晶片結構
6.1.4幾種典型的襯底LED晶片結構
6.2半導體雷射器
6.2.1概述
6.2.2半導體雷射器的工作原理
6.2.3半導體雷射器結構
6.2.4 半導體雷射器的類型
6.3太陽電池
6.3.1概述
6.3.2太陽電池的原理
6.3.3太陽電池的結構
6.3.4太陽電池的分類
6.3.5太陽電池組件結構
參考文獻
序言
近年來，以ⅢAⅤA族化合物為代表的半導體照明（發光二極體：LED）產業迅猛發展，並呈現出取代傳統照明器件的摧枯拉朽之勢。目前，已形成了從源頭的高純度有機金屬源、上游外延片、中游晶片、下游封裝和終端套用等較完整的研發與產業體系。為適應我國快速發展的新型照明領域的自主創新、產品生產與新器件研發等，以及相關科技人員和企業人員對該產業的了解和科技知識方面的需求，特編寫了這套半導體化合物系列叢書。
本書從ⅢAⅤA族半導體化合物的基本原理、光電器件製備與工藝，以及器件性能檢測等方面，較系統地介紹了相關基礎知識，適合研究生、本科生、工程技術人員和企業相關人員閱讀。本系列叢書共分《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部。
《半導體化合物光電原理》：主要介紹半導體化合物的結構學和物理學基礎、電學和光學性質、套用以及器件的結構和工作原理。
《半導體化合物光電器件製備》：主要介紹LED外延片生長、晶片製作和封裝、器件組裝以及太陽能電池的工作原理、結構、分類和套用。
《半導體化合物光電器件檢測》：主要介紹半導體材料和器件以及太陽能電池的各種測試分析技術，涉及掃描電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡、原子力顯微鏡、薄膜X射線衍射儀、光致發光光譜、電致發光光譜、霍爾效應等的測試原理、測試步驟和套用。
本叢書編委會由許並社任主任，劉旭光、梁建和賈虎生任副主任。許並社負責叢書的統籌工作，並負責審核有關材料界面結構部分的內容。劉旭光負責統編和審核《半導體化合物光電原理》，梁建負責統編和審核《半導體化合物光電器件製備》，賈虎生負責統編和審核《半導體化合物光電器件檢測》。
本書的編寫參考了國內外的有關科技著作、相關教材和論文等文獻，每章均列出了參考文獻，在此向原著及出版機構表示衷心的感謝！
編寫過程中也得到了許多科技人員的指導，在此表示衷心感謝！也誠懇地希望讀者給予斧正。
編著者2013年5月
本書從ⅢAⅤA族半導體化合物的基本原理、光電器件製備與工藝，以及器件性能檢測等方面，較系統地介紹了相關基礎知識，適合研究生、本科生、工程技術人員和企業相關人員閱讀。本系列叢書共分《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部。
《半導體化合物光電原理》：主要介紹半導體化合物的結構學和物理學基礎、電學和光學性質、套用以及器件的結構和工作原理。
《半導體化合物光電器件製備》：主要介紹LED外延片生長、晶片製作和封裝、器件組裝以及太陽能電池的工作原理、結構、分類和套用。
《半導體化合物光電器件檢測》：主要介紹半導體材料和器件以及太陽能電池的各種測試分析技術，涉及掃描電子顯微鏡、高分辨透射電子顯微鏡、原子力顯微鏡、薄膜X射線衍射儀、光致發光光譜、電致發光光譜、霍爾效應等的測試原理、測試步驟和套用。
本叢書編委會由許並社任主任，劉旭光、梁建和賈虎生任副主任。許並社負責叢書的統籌工作，並負責審核有關材料界面結構部分的內容。劉旭光負責統編和審核《半導體化合物光電原理》，梁建負責統編和審核《半導體化合物光電器件製備》，賈虎生負責統編和審核《半導體化合物光電器件檢測》。
本書的編寫參考了國內外的有關科技著作、相關教材和論文等文獻，每章均列出了參考文獻，在此向原著及出版機構表示衷心的感謝！
編寫過程中也得到了許多科技人員的指導，在此表示衷心感謝！也誠懇地希望讀者給予斧正。
編著者2013年5月
