《半導體光電子器件》是2021年西安電子科技大學出版社出版的圖書,作者是胡輝勇。本書從光的特性入手,詳細介紹了半導體材料光電特性以及光、電相互作用機制和基本物理過程。
基本介紹
- 中文名:半導體光電子器件
- 作者:胡輝勇
- 出版社:西安電子科技大學出版社
- ISBN:9787560655581
《半導體光電子器件》是2021年西安電子科技大學出版社出版的圖書,作者是胡輝勇。本書從光的特性入手,詳細介紹了半導體材料光電特性以及光、電相互作用機制和基本物理過程。
利用半導體光-電子(或電-光子)轉換效應製成的各種功能器件。它不同於半導體光器件(如光波導開關、光調製器、光偏轉器等)。光器件的設計原理是依據外場對導波光傳播方式的改變,它也有別於早期人們襲用的光電器件。後者只是著眼於光...
半導體發光器件是一種將電能轉換成光能的器件。它包括發光二極體、紅外光源、半導體發光數字管等。1·發光二極體 發光二極體的管芯也是一個PN結,並具有單嚮導電性。PN結加上正向電壓時,電子由N區渡越(擴散)到空間電荷區與空穴複合而...
《半導體光電子器件》是2021年西安電子科技大學出版社出版的圖書,作者是胡輝勇。本書從光的特性入手,詳細介紹了半導體材料光電特性以及光、電相互作用機制和基本物理過程。內容簡介 本書從光的特性入手,詳細介紹了半導體材料光電特性以及光...
發光是物體內部以某種方式儲存的能量轉化為光輻射的過程。發光物體的光輻射是材料中受激發的電子躍遷到基態時產生的。半導體(主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素構成的化合物半導體)發光二極體屬於電流激發的電致發光器件。電致發光現象發現...
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振盪器、發光器、放大...
由於光耦合器輸入輸出間互相隔離,電信號傳輸具有單向性等特點,因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。光電耦合器是一種把發光器件和光敏器件封裝在同一殼體內, 中間通過電→光→電的轉換來傳輸電信號的半導體光電子器件。其中,發光器件...
近年來隨著"網路經濟"泡沫的破滅,光通信產業的資本支出大為減少,作為光通信產業鏈最底端的光電子器件產業面臨非常大的挑戰。據估計,2002年美國通信用光電子器件的資本支出將在2001年銳減29%的基礎上繼續降低24%。另一方面,前期對市場...
光電子在飛向陽極的過程中與氣體分子碰撞而使氣體電離,可增加光電管的靈敏度。用作光電陰極的金屬有鹼金屬、汞、金、銀等,可適合不同波段的需要。光電管靈敏度低、體積大、易破損,已被固體光電器件所代替。產品介紹 光電倍增管是...
1978年,半導體雷射器開始套用於光纖通信系統,半導體雷射器可以作為光纖通信的光源和指示器以及通過大規模積體電路平面工藝組成光電子系統。由於半導體雷射器有著超小型、高效率和高速工作的優異特點,所以這類器件的發展,一開始就和光通信...
利用半導體P-N結的內光電效應把光信號轉變為電信號的光器件。簡介 利用半導體P-N結的內光電效應把光信號轉變為電信號的光器件。光纖通信用的半導體光檢測器有半導體光電二極體(P-N結或PIN)和半導體雪崩光電二極體(APD);光電子集成...
不斷開發出能改善有機半導體特性和穩定性的新材料和製造技術, 而新材料和新技術的套用又極大地促進了有機場效應電晶體(OFET)、有機發光二極體(O LED)和有機光伏電池(OPC)以及有機感測器等有機電子器件和有機光電子器件性能的提高。當...
《半導體光放大器及其套用》是2012年科學出版社出版的圖書,作者是黃德修、張新亮、黃黎蓉。 內容簡介 半導體光放大器是一種處於粒子數反轉條件下的半導體增益介質對外來光子產生受激輻射放大的光電子器件,和半導體雷射器一樣,是一種小體積...
《光電子器件(第2版)》著重講授光電子探測與成像器件的基礎理論和基本知識。主要內容有:半導體光電 探測器、光電倍增管、微光像增強器、真空攝像管、CCD 和CMOS 成像器件、致冷和非致冷紅外 成像器件、紫外成像器件、X 射線成像器件。...
半導體光電子器件的性能改善無不是通過不斷最佳化半導體材料和器件結構以增強電子與光子的相互作用、實現高效電能與光能相互轉換的結果,其中異質結所形成的電子勢壘和光波導的雙重效應起到了關鍵作用。全書分十章,各章內容相互關聯,形成當今...
不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態不同。當電子和空穴複合時釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發出的光的波長越短。常用的是發紅光、綠光或黃光的二極體。發光二極體的反向擊穿電壓大於5伏。它的正向伏安特性曲線很...
由於矽自身的物理化學性質限制,在微電子領域矽難以滿足人們對更大信息量的傳輸需求,在光電子領域它的發光效率很低;但是在光電子領域,娃基發光材料和無源光電子器件展示了矽的巨大潛力和套用前景。研究背景 Si 和 GaAs 分別為傳統半導體...
GaN材料的研究與套用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,並與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。