半導體光電子器件—功率發光二極體空白詳細規範

《半導體光電子器件—功率發光二極體空白詳細規範》是2019年1月1日實施的一項中國國家標準。

基本介紹

• 中文名：半導體光電子器件—功率發光二極體空白詳細規範
• 外文名：Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
• 標準號：GB/T 36360-2018
• 中國標準分類號：L53

編制進程

2018年6月7日，《半導體光電子器件—功率發光二極體空白詳細規範》發布。

2019年1月1日，《半導體光電子器件—功率發光二極體空白詳細規範》實施。

起草工作

主要起草單位：中國電子技術標準化研究院、國家半導體器件質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第十三研究所、廈門市三安光電科技有限公司。

主要起草人：劉秀娟、趙英、趙敏、張瑞霞、黃杰、彭浩、邵小娟。