動態存儲器

在指定功能或套用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個套用軟體占用了所有存儲器空間，此時將無法為其他套用軟體分配存儲器空間。 例如，日曆、簡訊息和電話簿 （或通訊錄） 可能會共享移動設備中的動態存儲器。一般計算機系統使用的隨機存取記憶體(RAM)可分動態隨機存取記憶體(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維繫數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

基本介紹

• 中文名：動態存儲器
• 外文名：Dynamic Memory
• 屬性：存儲器
• 別稱：DRAM
• 相關產品：DDR2
• 相關產品：聯笙電子，晶豪

原理

動態RAM的工作原理 和靜態RAM一樣，動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組成的。 3管動態RAM的基本存儲電路如右圖所示。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀選擇線和寫選擇線也是分開的。

寫操作時

寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。讓我們看一下動態效果。

讀操作時

先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反；若原存信息為"0",則Q3儘管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為"1"。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相在送往 數據匯流排。

類別與相關產品

同步

1：雙倍數據速率2 存儲器 (DDR2)

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 一直以球形格線陣列 (BGA)封裝方式供應。他們具有 3 納秒，甚至 2.5納秒的低循環次數 (Cycle time) ，因此可達到 800 兆赫 (MHz) 的數據速率。反過來，與最初的雙倍數據速率存儲器相比，他們具有較長的等待時間 (Latency) 。不過，雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 速度明顯快於 雙倍數據速率 1 存儲器。4/8 和 16 比特 (bit) 匯流排頻寬情況下，他們的存儲容量範圍從 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。

相關產品：

爾必達 (Elpida):

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

海力士 (Hynix)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

美光 (Micron) ：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

茂德科技 (Promos)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)

2：雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1)

第一代雙倍數據速率存儲器採用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形格線陣列 (BGA)封裝。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的傳輸速率，存儲容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存儲器需 2.5V的電壓及4,8,16 或 32比特的匯流排頻寬。與雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 的最大區別： 雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存取和等待時間較短。

相關產品：

爾必達 (Elpida):

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)

森富 (Eorex)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

晶豪 (ESMT)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

鈺創 (Etron)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA)

海力士 (Hynix)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)

蕊成 (ISSI)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

美光 (Micron) ：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

茂德科技 (Promos)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512兆比特，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)， x8 / x16 / x32 比特 (bit)，工業級溫度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)

3：同步動態存儲器 (SDRAM)

同步動態存儲器（簡稱為SDRAMs）以高達 200 MHz的時鐘頻率與匯流排頻率同步運行。它們的存儲容量從 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 4/8/16/32 比特 (bit) 匯流排頻寬下可用。典型工作電壓： 3.3伏。 封裝： BGA（球形格線陣列）或TSOP（薄型小尺寸封裝）。

相關產品：

A-Device:

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 – 128 兆比特，x16，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

聯笙電子 (Amic)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 64 兆比特，x16，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

爾必達 (Elpida):

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512 兆比特，x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

森富 (Eorex)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

晶豪 (ESMT)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

鈺創 (Etron)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

海力士 (Hynix)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x 8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

蕊成 (ISSI)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

美光 (Micron) ：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)，工業級溫度。

茂德科技 (Promos)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 - 256兆比特，x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA), 工業級溫度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):

同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) ，工業級溫度

4：移動雙倍數據速率 (Mobile DDR)

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 存儲器的存儲容量範圍從 64 兆比特到1 千兆比特。匯流排頻寬：1.8V 工作電壓下x16 / x32 比特 (bit)。套用領域： 所有移動設備，例如掃瞄器，個人數碼助理 (PDA)、移動數碼助理 (MDA)、攜帶型媒體播放器 (PMP) 、移動電視、數位相機、 MP3 播放器...

相關產品：

Fidelix:

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR)，即將上市！

海力士 (Hynix)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)，1.8V，擴展級溫度。

美光 (Micron)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)，1.8V，擴展級溫度。

三星 (Samsung)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)，1.8V，擴展級溫度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA)，1.8V，擴展級溫度。

5：移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM)

存儲組件運行和待機電流非常低而容量卻很大，。移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 可與傳統的同步動態存儲器 (SDRAM) 兼容，非常適用於 移動通訊設備。工作電壓：3.3伏，2.5伏甚至低至與移動雙倍數據速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動態存儲器使用較為節省空間的球形格線陣列 (BGA) 進行封裝，接觸區域 在其下面。

相關產品：

聯笙電子 (Amic)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形格線陣列 (BGA),1.8V

森富 (Eorex)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),3.3V/1.8V

Fidelix:

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 32 兆比特 – 256 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),3.3V/1.8V

海力士 (Hynix) :

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 256 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),1.8V

美光 (Micron)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),1.8V

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

三星 (Samsung)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形格線陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

異步

擴展數據輸出 (EDO) /快速頁面模式 (FPM)

擴展數據輸出動態存儲器/快速頁面模式動態存儲器 (EDO / FPM DRAM)

擴展數據輸出動態存儲器 (EDO) 和快速頁面模式動態存儲器 (FPM) 在價值上並沒有什麼不同，但這無關於技術。它們的存儲容量同樣都從1 兆比特到 64 兆比特 ，匯流排頻寬 x4 / x8 / x16 比特 (bit) 。我們可以提供 3.3V 和5V TSOP (薄型小型封裝) 和SOJ (小型J形引線) 封裝。異步動態存儲器不再大量生產，因此，價格較其它動態存儲器要高。

相關產品

聯笙電子 (Amic)、晶豪 (ESMT)、蕊成 (ISSI)：

擴展數據輸出動態存儲器 4兆比特 – 16 兆比特，x16 比特 (bit)，小型外線式J形引線 (SOJ) /薄型小尺寸封裝 (TSOP)， 3.3V。

優缺點

經驗證，動態存儲器是採用超大容量的存儲技術，但是，其存儲組件要求由處理器控制的刷新周期。它與靜態存儲器等其它存儲技術相比，耗電量相對較高。優點： 跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。

套用領域

所有類型的計算機系統、行動電話等移動裝置、數據記錄設備、印表機、控制系統等。