電子要脫離原子必須從費米能級躍遷到真空靜止電子(自由電子)能級,這一躍遷所需要的能量叫功函。 這個定義和電子的逸出功一樣, 只是從不同的角度講的而已。
基本介紹
- 中文名:功函
- 外文名:work content
- 過程:從費米能級躍到真空靜止電子能級
- 定義:和電子的逸出功一樣
電子要脫離原子必須從費米能級躍遷到真空靜止電子(自由電子)能級,這一躍遷所需要的能量叫功函。 這個定義和電子的逸出功一樣, 只是從不同的角度講的而已。
功函式(work function)又稱功函、逸出功,在固體物理中被定義成:把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。一般情況下功函式指的是金屬的功...
電子要脫離原子必須從費米能級躍遷到真空靜止電子(自由電子)能級,這一躍遷所需要的能量叫功函。 這個定義和電子的逸出功一樣, 只是從不同的角度講的而已。...
金屬功函式是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出,所必須提供的最小能量(通常以電子伏特為單位)。這裡“立即”一詞表示最終電子位置從原子尺度上遠離表面但從微觀...
亥姆霍茲函式是一個重要的熱力學參數,等於內能減去絕對溫度和熵的乘積:兩個狀態差值的負數等於一個可逆等溫等容過程的最大功輸出。也稱為亥姆霍茲自由能(Helmholtz ...
若金屬的功函式小於半導體功函式,在金屬一半導體接觸處形成電子勢阱,即形成電子濃度高於體內的高電導區域,稱為反阻擋層 [1] 。歐姆接觸測量 ...
因此,亥姆霍茲自由能可以理解為等溫條件下體系作功的本領。這就是把F叫做功函的原因。若過程是不可逆的,則體系所做的功小於亥姆霍茲自由能的減少(此處等溫並不意味...
亥姆霍茲能是等溫下做所有功的能力,其大小等於內能減去絕對溫度和熵的乘積,亦稱功函 (work function),是一種具有容量性質的熱力學參數。在物理學中,常用字母F(或...
即:等溫、可逆過程中,體系對外所作的最大功等於體系亥姆霍茲自由能的減少值,所以把 A 稱為功函(work function)。若是不可逆過程,體系所作的功小於A 的減少值 ...
肖脫基勢壘是金屬和半導體相接觸時在半導體內形成的勢壘;針對金屬和半導體,具有不同的功函式。...
功效係數法又叫功效函式法,它是根據多目標規劃原理,對每一項評價指標確定一個滿意值和不允許值,以滿意值為上限,以不允許值為下限.計算各指標實現滿意值的程度,並...
冷端最佳化即冷端最佳化P2R2技術,是以汽輪機的微增功率函式、凝汽器熱阻函式、循環冷卻水水阻函式、循環冷卻水泵效率函式、冷端凝汽器潔能管®的i、e、α、β3...
FED器件中的陰極是非常重要的部分,陰極場發射材料的功函式越低,電子就越容易發射。許多金屬、非金屬、化合物、CNT可以用作場致發射陰極的材料,在FED中使用的有鉬...
開爾文探針技術首先是Thomson在1898年發展的,隨後經LordKelvin完善,最初是想獲得兩金屬電子功函式的差,後來Zisam進一步完善與發展使其更加精準,成為一種有效的測量...
如果電子吸收的能量hυ足夠大,能夠克服脫離原子所需要的能量(即電離能量)I和脫離物體表面時的逸出功(或叫做功函式)W,那末電子就可以離開物體表面脫逸出來,成為光...
是功函式,從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量,是被射出的電子的最大動能,ν0是光電效應發生的閾值頻率,m是被發射電子的靜止質量,vm是被發射電子的速度,...
對洗淨後的ito玻璃還需進行表面活化處理,以增加ito表面層的含氧量,提高ito表面的功函式。 也可以用比例為水:雙氧水:氨水=5:1:1混合的過氧化氫溶液處理ito表面,...
(1) ITO表面平整度:ITO已廣泛套用在商業化的顯示器面板製造,其具有高透射率、低電阻率及高功函式等優點。一般而言,利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所製造的ITO,...
與功函式的關係:Va-Vb=1/e(Φb-Φa)產生接觸電勢差的原因是:⑴兩種金屬電子的逸出功不同。⑵兩種金屬的電子濃度不同。若A、B兩種金屬的逸出功分別為Va和...
接觸起電,又稱接觸-分離起電。接觸起電是最廣泛的靜電起電方式之一。接觸起電是指異質材料互相接觸,由於材料的功函式不同,當兩種材料之間的距離接近原子級別時(...
h是普朗克常數, ν是入射光子的頻率, w是功函式,從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量,E 是被射出的電子的最大動能, ν0是光電效應發生的閥值頻率, m...
熱離子發射是金屬或半導體表面電子具有熱運動的動能足以克服表面勢壘而產生的電子發射現象。金屬或半導體向真空發射電子所需的最低能量稱為逸出功或功函式,即表面勢壘...