劉舒曼

劉舒曼,博士,研究員,2000年於中科院半導體所獲博士學位。畢業後,在北京交通大學任博士後、副教授,後分別在日本姬路工業大學東京大學從事博士後研究工作,2007年11月在中科院半導體所工作。

基本介紹

  • 中文名:劉舒曼
  • 國籍中國
  • 民族:漢
  • 職稱:研究員
  • 學位/學歷:博士
人物簡介,科研成果,研究領域,完成項目,代表論文,

人物簡介

申請人長期從事低維半導體結構材料與光電性能的研究,代表性成果包括:實現了稀土離子在納米半導體中的摻雜和能量傳遞,作為摻雜納米晶的代表性成果被《small》的綜述文章引用;提出了低成本、大規模製備納米矽的新方法,該項技術發表在美國化學學會刊物《Langmuir》和《Chem Mater》上;實現了T型量子線的低閾值電注入激射,該閾值電流迄今仍是國際上最好的結果;主要從事新型紅外探測材料的MOCVD生長,通過對界面形成的研究及調控,提出新型的界面結構,實現了高質量InAs/GaSb II類超晶格的MOCVD生長。迄今,在重要的國際學術刊物上發表論文50餘篇,他引200餘次,其中第一作者及通信作者論文25篇。

科研成果

在納米材料的化學製備方面,實現了稀土離子在納米半導體中的摻雜和能量傳遞,作為摻雜納米晶的代表性成果被《small》的綜述文章引用;提出了低成本、大規模製備納米矽的新方法,該項技術發表在美國化學學會刊物《Langmuir》和《Chem Mater》上;
在量子線雷射器方面,實現了T型量子線的低閾值電注入激射,該閾值電流迄今仍是國際上最好的結果;
在II類超晶格探測器方面,通過對界面形成的研究及調控,提出新型的界面結構,實現了高質量InAs/GaSb II類超晶格的MOCVD生長,為基於II類超晶格的第三代紅外探測器的MOCVD生產提供科學依據

研究領域

低維半導體結構材料與光電性能的研究,主要研究基於II類超晶格和量子點級聯結構的紅外探測器

完成項目

1、國家自然科學基金“MOCVD 生長InAs/GaSbII 類超晶格中界面形成動力學及其對超晶格性能的影響”(2013-2016)
2、973項目子課題“量子點級聯探測器的研究”(2013-2017)

代表論文

1. Li-Gong Li, Shu-Man Liu, Shuai Luo, Tao Yang, Li-Jun Wang, Feng-Qi Liu, Xiao-Ling Ye, Bo Xu and Zhan-Guo Wang, Formation of AsxSb1−x mixing interfaces in InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
2. Ligong Li, Shuman Liu, Shuai Luo, Tao Yang, Lijun Wang, Fengqi Liu, Xiaoling Ye, Bo Xu, Zhanguo Wang, Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice on (100) GaSb substrate
3. Li-gong Li, Shu-man Liu, Xiao-ling Ye, Marius Hossu, Ke Jiang, Wei Chen, and Zhan-guo Wang, Formation Mechanism and Characterization of Black Silicon Surface by a Single-Step Wet-Chemical Process,J
4. Li-Gong Li, Shu-Man Liu, Shuai Luo, Tao Yang, Li-Jun Wang, Jun-Qi Liu, Feng-Qi Liu, Xiao-Ling Ye, Bo Xu and Zhan-Guo Wang, Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition, J
5. Li Li-Gong, Liu Shu-Man, Luo Shuai, Yang Tao, Wang Li-Jun, Liu Feng-Qi, Ye Xiao-Ling, Xu Bo, Wang Zhan-Guo, Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of InAs/GaSb Superlattices on GaAs Substrates and Doping Studies of P-GaSb and N-InAs, Chin
6. Li-Gong Li, Shu-Man Liu, Shuai Luo, Tao Yang, Li-Jun Wang, Feng-Qi Liu, Xiao-Ling Ye, Bo Xu, Zhan-Guo Wang, Effect of Interface Bond Type on the Structure of InAs/GaSb Superlattices Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Chin. Phys
7. Shu-Man Liu, Wei Chen, and Zhan-Guo Wang, Luminescence Nanocrystals for Solar Cell Enhancement (review), J
8. Shu-man Liu, Luminescent Silicon Nanoparticles Formed in Solution (review), J
9. Shu-man Liu, Masahiro Yoshita, Makoto Okano, Toshiyuki Ihara, Hirotake Itoh and Hidefumi Akiyama, Loren N. Pfeiffer, Ken W. West, and Kirk W. Baldwin, Electronic Structure and Efficient Carrier Injection in Low-Threshold T-shaped Quantum-Wire Lasers with Parallel p- and n-Doping Layers,J. Appl
10. Shu-man Liu,Masahiro Yoshita, Makoto Okano, Toshiyuki Ihara, Hirotake Itoh and Hidefumi Akiyama, Loren N. Pfeiffer, Ken W. West, and Kirk W. Baldwin, Low-threshold current-injection single-mode lasing in T-shaped GaAs/AlGaAs quantum wires, Japn. J

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