劉揚，男，1969年8月生。現任中山大學物理科學與工程技術學院教授，博士生導師。1991年、1994年和2000年于吉林大學電子科學與工程學院微電子學和固體電子學專業分別獲得學士、碩士和博士學位。主要從事寬譜高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超輻射光源的研製的研究工作。1994年9月至2001年10月，吉林大學通信工程學院，助教、講師。從事光通信教學和科研工作。2001年11月至2007年4月在日本名古屋工業大學納米器件與系統研究中心訪問研究，主要從事GaN基材料的MOCVD法生長以及它在發光器件和電子器件方面的套用研究。2007年5月至今，中山大學，教授。
基本介紹
- 中文名：劉揚
- 畢業院校：吉林大學
- 職 稱： 教授
- 性 別： 男
- 學 位：博士
人物簡歷,承擔課題,研究方向,
人物簡歷
劉揚，男，1969年8月生。現任中山大學物理科學與工程技術學院教授，博士生導師。1991年、1994年和2000年于吉林大學電子科學與工程學院微電子學和固體電子學專業分別獲得學士、碩士和博士學位。主要從事寬譜高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超輻射光源的研製的研究工作。
1994年9月至2001年10月，吉林大學通信工程學院，助教、講師。從事光通信教學和科研工作。
2001年11月至2007年4月在日本名古屋工業大學納米器件與系統研究中心訪問研究，主要從事GaN基材料的MOCVD法生長以及它在發光器件和電子器件方面的套用研究。
2007年5月至今，中山大學，教授。教學課程: 《半導體物理》《半導體光電器件》
承擔課題
中山大學百人計畫引進人才研究項目
中山大學後備重點課題項目
國家973項目子課題
國家863項目
廣東省粵港招標項目
研究方向
所在學科：微電子學與固體電子學、光學工程
研究方向：寬禁帶III族氮化物半導體材料與器件研究，具體包括以下幾個方面：
1. 套用於GaN基電力電子器件的III族氮化物半導體材料MOCVD外延生長及材料物性研究
2. GaN基光電器件的製備及其器件物理的研究
3. 功率型GaN基肖特基勢壘二極體(SBD)的製備及其器件物理的研究
4. 功率型GaN基場效應開關晶體體管(FET)的製備及其器件物理的研究
5. GaN基MOSFET用絕緣柵介質材料特性及MOS界面特性的研究
招生計畫：每年計畫招收博士後1-2名，博士研究生2-3名，碩士研究生3-5名
