劉志偉：男，電子科技大學副教授。劉志偉於2010年8月獲得美國中佛羅里達大學電子工程專業博士學位。目前是電子科技大學微電子與固體電子學院副教授。劉志偉在半導體器件靜電保護方面有著將近10年的研究經驗，曾經在美國ADI，Intersil等知名公司工作或實習，所開發的ESD保護方案在多家半導體公司的晶片上大規模生產，獲得美國專利授權1項，中國國家發明專利1項。作為項目負責人承擔國家自然科學基金青年基金，國家重點實驗室開放基金以及多項橫向合作項目。劉志偉的研究成果在國內外專業期刊上發表論文20餘篇(包括EDL 3篇，TED 2篇)，翻譯ESD相關專著1本。參加ICSICT2013和IEEE EDSSC 2013以及IEDMs 2014國際會議並做受邀報告。擔任多家期刊(IEEE EDL, IEEE TED, Microelectronic Reliability)的評審，2013年被授予IEEE EDL金牌審稿人。作為IEEE EDS成都分會秘書，積極組織成都地區電子器件領域的學術交流活動。
基本介紹
- 中文名：劉志偉
- 職業：副教授
- 畢業院校：電子科技大學
- 主要成就：IEEE EDL金牌審稿人
人物簡介,教育背景,工作履歷,學術兼職,學生培養,
人物簡介
劉志偉於2010年8月獲得美國中佛羅里達大學電子工程專業博士學位。目前是電子科技大學微電子與固體電子學院副教授。劉志偉在半導體器件靜電保護方面有著將近10年的研究經驗，曾經在美國ADI，Intersil等知名公司工作或實習，所開發的ESD保護方案在多家半導體公司的晶片上大規模生產，獲得美國專利授權1項，中國國家發明專利1項。作為項目負責人承擔國家自然科學基金青年基金，國家重點實驗室開放基金以及多項橫向合作項目。劉志偉的研究成果在國內外專業期刊上發表論文20餘篇(包括EDL 3篇，TED 2篇)，翻譯ESD相關專著1本。參加ICSICT2013和IEEE EDSSC 2013以及IEDMs 2014國際會議並做受邀報告。擔任多家期刊(IEEE EDL, IEEE TED, Microelectronic Reliability)的評審，2013年被授予IEEE EDL金牌審稿人。
教育背景
2005.09－2010.08 美國中佛羅里達大學，微電子器件，博士學位
2001.09－2003.06 華中科技大學，微電子科學與技術，碩士學位
1997.09－2001.06 華中科技大學，電子工程，學士學位
工作履歷
2011-現在，電子科技大學微電子與固體電子學院，副教授
2010-2011，北京大學深圳SOC重點實驗室，晶片ESD相關研究。
2003.07-2004.12，美國模擬器件公司(ADI)北京設計中心，任晶片設計工程師
學術兼職
IEEE Member,
擔任IEEE EDL, TED, Micro-electronic等多種刊物的評審
擔任IEEE電子器件協會成都分會的秘書
擔任2012 IEEE電子器件的小型座談會主席
擔任2016 IEEE國際納米電子學會議主席
擔任2014 IEEE電子器件和固態電路會議秘書
擔任ESDA學生分會---成都分會顧問
榮譽獎勵
2014年12月，獲評"四川省千人計畫專家"。
2014年1月，獲得微固學院優秀綜合導師制指導老師獎。
2007年獲IEEE Orlando區域傑出研究生獎。
2005-2009獲美國中佛羅里達大學校長獎學金。
Journal Papers: |
Jizhi Liu,Zhiwei Liu, Ze Jia and Juin J. Liou, “A novel DTSCR with a variation lateral base doping structure to improve turn-on speed for ESD protection”,Journal of Semiconductors, Vol. 35, 2014
Linfeng He, T.K. Chiang, Juin J. Liou, Wenchao Zheng andZhiwei Liu, “A new analytical subthreshold potential/current model for quadruple-gate junctionless MOSFETs”,IEEE Transactions on Electron Device, Vol. 61, pp. 1972-1978 ,2014.
Ze Jia, Gong Zhang, Jizhi Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Reference voltage generation scheme enhancing speed and reliability for 1T1C-type FRAM”,Electronics Letters, Vol. 50, pp. 154-156, 2014.
Shurong Dong, Meng Miao, Jian Wu, Jie Zeng,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Low-capacitance SCR structure for RF I/O Application”,IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Vol. 55, pp. 241-247, 2013.
Zhiwei Liu, Cao Yu, Chenyue Ma, Wen Wu, Wenping Wang, Ruonan Wang, Jin He, “FinFET Reliability Issue Analysis by Forward Gated-Diode Method”,NSTI Nanotech, Vol. 2, pp. 168-171, 2011.
Zhiwei Liu, Juin J. Liou, Shurong Dong and Yan Han, “Stacked Silicon Controlled Rectifier Structure for High-Holding Voltage ESD Protection Applications”,IEEE Electron Device Letter, vol. 31, no.8, August 2010, pp. 845-847, 2010
Zhiwei Liu, Juin J. Liou and Jim Vinsion, “Novel Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for high- voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.7, July 2008
Zhiwei Liu, Jim Vinson, Lifang Lou, Juin J. Liou, “An improved bi-directional SCR structure for low-triggering voltage ESD protection application”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.4, pp. 360-362, April 2008
Javier A. Salcedo, Juin J. Liou,Zhiwei Liuand James E. Vinson, “TCAD methodology for design of SCR devices for Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 4, pp. 822-832, April 2007
Conference Papers: |
Guoyan Zhang, Aihua Dong, Nie Liu, Rui Tian, Xuejiao Yang,Zhiwei Liu, Kohui Lee, Horng-Chih Lin, Juin J. Liou and Yuxin Wang, “Failure analysis of gate-all-around nanowire field effect transistor under TLP test”,2014 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2014), Jun. 18-20, Chengdu, China, 2014.
Z. Jia, J. L. Xu, N. W. Zhang, J. Z. Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Effects of La and Mn dopants on BiFeO3 applied in FeFETs”, 2013International Electron Devices and Material Symposium, National Chi Nan University, Nantou, Taiwan, Nov. 28-29, 2013 (invited paper)
Zhiwei Liu，Aihua Dong, Zhuoyu Ji, Long Wang, Linfeng He, Wei Liang, Jiabin Miao and Juin J. Liou, “Evaluation of Electrostatic Discharge (ESD) Characteristics for Organic Thin Film Transistor”,2013 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2013), Jun.3-5, Hong Kong, China, 2013 (invited paper)
Zhiwei Liu, Jin He, Juin J. Liou, Jizhi Liu, “Segmented SCR for High Voltage ESD Protection”,11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 29 – Nov. 1, Xi’an, China, 2012 (invited paper)
Juin J. Liou, Javier A. Salcedo, andZhiwei Liu, “Robust ESD protection solutions in CMOS/BiCMOS Technologies”,IEEE Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Rio de Janerio, Brazil, Sept. 3-6, 2007 (invited Paper)
J. A. Salcedo,Zhiwei Liu, J.J. Liou and J.E. Vinson, “Computer-aided design methodology for electrostatic discharge (ESD) protection applications,”IEEE International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems,Carmen, Mexico, April 26-28, 2006
U.S. Patent:
Zhiwei Liu, J.J. Liou and Jim Vinson, “Silicon-controlled rectifier (SCR) for high-voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”, 2010, No.7842971
學生培養
指導2014級碩士研究生2名，2012級碩士研究生2名，2013級碩士研究生2名。
從2011年開始，每年指導綜合導師制本科生5名，本科畢業設計5名。
目前指導的本科生中，有5名已經拿到國外全額獎學金出國，有1名獲得2014年成電傑出學生稱號。
畢業的研究生大多去積體電路相關公司工作：華為海思，蘇州瑞晟微電子, 杭州矽力傑等。
