《利用電暈放電控制化學氣相沉積輸運過程的探索》是依託江蘇大學，由左然擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：利用電暈放電控制化學氣相沉積輸運過程的探索
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：左然
- 依託單位：江蘇大學
- 批准號：60376006
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
化學氣相沉積（包括CVD和MOCVD）生長單晶和多晶薄膜，是製備微電子和光電器件的一項關鍵工藝。控制CVD反應器中氣體的輸運過程，獲得基片上方均勻的流場和溫場分布,對於薄膜的生長質量和生長速率至關重要，也是現代CVD反應器設計的最基本的要求。本項目提出一種全新的控制CVD反應器內氣體輸運過程的方案，即在CVD反應器中加入電暈放電裝置，利用電暈電漿使氣體荷電，再利用外加電場來影響帶電氣體的流動，使基片上方保持均勻的層流流動和均勻的基片溫度，從而獲得一種比目前的機械旋轉和分層流更好的控制氣體輸運的方法,得到更好的薄膜生長質量和更快的薄膜生長速率。該項研究有望導致一種更優的CVD反應器的問世。
