《利用線性疊加倍頻技術實現矽CMOS太赫茲源單片電路》是依託電子科技大學,由楊自強擔任醒目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：利用線性疊加倍頻技術實現矽CMOS太赫茲源單片電路
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：楊自強
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
本課題將研究基於深亞微米矽CMOS工藝的太赫茲源單片電路實現技術，建立分布參數矽CMOS太赫茲單片電路的EDA設計方法，突破線性疊加倍頻關鍵技術，解決CMOS器件模型修正及射頻ESD設計等難點問題，設計矽CMOS太赫茲源單片電路，達到國際先進水平，同時為下一步實現太赫茲頻段的其他收發單元電路及太赫茲收發SOC作技術儲備。
結題摘要
傳統固態太赫茲源電路採用混合積體電路方式實現，電路結構複雜、體積大、加工精度差、調試工作量大。為解決以上問題，本項目將矽技術引入太赫茲源電路設計中，矽技術不僅具有集成度高、功耗小等優點，並且還有將RF前端與後端基帶數位訊號處理器集成到一塊晶片成為SOC的巨大潛力。本課題的研究成果主要有：(1) 深入研究線性疊加倍頻機理，並套用於太赫茲源電路設計。（2）對太赫茲壓控振盪器(VCO)低相噪技術進行研究，結合交叉耦合和Copitts電路優點，降低VCO相位噪聲。（3）完成毫米波VCO晶片設計，其工作頻率高於Hittite等公司的商用晶片。（4）對基於矽工藝的分布參數薄膜傳輸線（TFMS）進行了深入研究，利用多層結構，構建了多種TFMS，並評估其性能。（5）對經驗建模方法進行深入研究，並將該方法套用於無源電路建模，相比傳統的三維電磁場仿真方法，經驗建模可節約大量計算時間。（6）對ESD技術進行研究，充分考慮其對VCO電路影響。
