美國羅瓦州州立大學愛美實驗室（Ameslaboratory, Lowa State University)的物理學家及他們的團隊用量子技巧，超短超快的雷射脈衝（延續100飛秒），在飛秒（千萬億分之一秒）內使磁電阻材料中磁結構從反鐵磁有序超快變為鐵磁有序狀態，使寫/讀出速度達10的12次方赫茲的速度。這種超快寫/讀技術可在下一代存儲和邏輯器件中套用。
在幾十Gb/in2的高密度記錄中，有光助磁記錄技術，即，在這樣的高密度磁記錄中，由於記錄區域很小，要用鉑鐵薄膜，矯頑力達數千奧斯特的記錄材料；而磁頭產生這樣高的磁場是很困難的；故要在加磁場之前，用雷射加熱，使材料的矯頑力下降，然後加磁場寫入/讀出，這就是光助磁記錄技術。
但是，這種光助磁記錄技術受到二個因素限制了它的寫入速度；1.雷射加熱時，磁性材料溫度上升速度的時間；2.磁場能反轉磁化向量的時間。所以目前的磁記錄寫/讀技術受到千兆赫茲開關速度極限的限制。
美國羅瓦州立大學愛美斯實驗室（Ames Laboratory, lowa State University)和希臘克里特大學（the University of Crete in Greece)的研究人員發現了一種比現用磁存儲技術致少快1000倍的寫入讀出技術。
愛美斯實驗室的物理學家及他們的團隊用量子技巧，超短超快的雷射脈衝(持續100飛秒長），在飛秒（千萬億分之一秒）內使磁電阻材料中磁結構從反鐵磁有序超快變為鐵磁有序狀態。使寫/讀出速度達10的12次方赫茲速度。這種技術可在下一代存儲器和邏輯器件中套用。
參考文獻
“All-optical magnetic swiching promises terahertz-speed hard drive and RAM memory"
'phys.org/news/2015-01-magnetic-substructure-superfast-precise-storge.html”
