全知覺，男，江西臨川人，博士，南昌大學材料科學與工程學院副研究員、碩士生導師，南昌大學材料科學研究所所長。
基本介紹
- 中文名：全知覺
- 職業：教師
- 畢業院校：中國科學院上海技術物理研究所
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：半導體材料生長與器件製備、半導體器件性能分析及數值模擬
- 職務：南昌大學材料科學與工程學院碩士生導師
- 任職院校：南昌大學材料科學與工程學院
個人經歷,研究方向,學術成果,榮譽獎勵,
個人經歷
1999年與2002年畢業於華北工學院分獲學士、碩士學位；2007年1月畢業於中國科學院上海技術物理研究所獲理學博士學位。
擔任Optics Letter、Journal of Applied Physics等多家國際SCI學術刊物的論文評審人。
研究方向
半導體材料生長與器件製備、半導體器件性能分析及數值模擬。
學術成果
參與和主持國家及江西省重大專項、國家及江西省自然科學基金等10餘項；發表論文60餘篇，獲授權及申請專利10餘項。
曾任職於中芯國際（上海）、晶能光電（江西）等高科技公司，從事半導體材料與器件的研究及產業化工作。現就職於南昌大學國家矽基LED工程技術研究中心，
承擔課題情況：
(1)主持國家自然科學基金面上項目：氮化鎵基發光二極體中V坑空穴注入的研究；項目號11674147；直接經費66萬；執行年限：2017.01-2020.12.
(2)主持江西省重點研發計畫一般項目：矽襯底GaN基垂直結構LED超大晶片的製造技術；項目號20171BBE50052；經費20萬；執行年限：2017.01-2019.12.
(3)主持江西省自然科學基金面上項目：InGaN/GaN多量子阱發光二極體中V型缺陷的作用及其機理研究；項目號20161BAB201011；經費5萬；執行年限：2016.01-2017.12.
(4)主持國家自然科學基金地區項目：GaN基藍光LED內量子效率的溫度droop效應研究；項目號11364034；經費45萬；執行年限：2014.01-2017.12.
發表論文情況：
1）潘洪英，全知覺*；p層空穴濃度及厚度對InGaN同質結太陽電池性能的影響機理研究,物理學報，68(19),196103 (2019)。（SCI）
2）許毅;吳慶豐；周聖軍；潘拴；吳小明；張建立；全知覺*；GaN基綠光LED中V坑對空穴電流分布的影響，發光學報, 05期, pp674-680（2018）（EI）
3）Z. J. Quan*,J. L. Liu,F. Fang,G. X. Wang,F. Y. Jiang,Effect of V-shaped Pit area ratio on quantum efficiencyof blue InGaN/GaN multiple-quantum well light-emittingdiodes,Opt.Quant.Electron., 2016, 48(3), 195:1-8（SCI）
4）Zhijue Quan*, Junlin Liu, Fang Fang, Guangxu Wang, and Fengyi Jiang,A new interpretation for performance improvement of high-efficiency vertical blue light-emittingdiodes by InGaN/GaN superlattices,Journal of Applied Physics, 2015,118, 193102:1-6（SCI）
5）Z. J.Quan*, J. L.Liu,F. Fang,and F. Y.Jiang, Effect ofV-shapedpitdensity on quantum efficiency of blueInGaN/GaN multiple-quantumwelllight-emitting diodes: Simulation,the 15th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD),2015,Taipei, china,2015.9.7-11.(Poster).
6）武芹;全知覺*;王立;劉文;張建立;江風益；Si(111)襯底切偏角對GaN基LED外延膜的影響，發光學報, 04期, pp466-471（2015）
7）Zhijue Quan*, Li Wang, Changda Zheng, Junlin Liu, and Fengyi Jiang,Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes[J],Journal of Applied Physics,116(18), 183107(2014）（SCI）
8）Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F. Li, and W. Lu，Effects of carrier degeneracy and conduction band non-parabolicity on the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，Infrared physics & technology, 50: 1-8 (2007).（SCI）
9）Z.J. Quan,X.S. Chen,W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. Hu, Z.F. LiandW. Lu,Modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode，Optical and Quantum Electronics,DOI 10.1007/s11082-006-9046-4,(2007).（SCI）
10）Z.J. Quan,Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. HuandW. Lu，Parameterdeterminationfromresistance-voltage curveforlong-wavelength HgCdTe photodiode，J. appl. Phys., 100: 084503(2006).（SCI）
11）全知覺，孫立忠，葉振華，李志鋒，陸衛；碲鎘汞異質結能帶結構的最佳化設計,物理學報，55(7), 3611-3616 (2006)。（SCI）
12）全知覺，葉振華，胡偉達，李志鋒，陸衛；降低平面型碲鎘汞焦平面陣列光譜串音的結構最佳化研究，紅外與毫米波學報，Vol.25(5):329-332（2006）。（SCI）
13）全知覺，李志鋒，胡偉達，葉振華，陸衛；光伏型碲鎘汞長波探測器暗電流特性的參數提取研究，紅外與毫米波學報，Vol.27(2):92-96（2006）。（SCI）
14）Z.J. Quan, Z.F. Li, W.D. Hu, Z.H. Ye, X.N. HuandW. Lu，Study on parameters extraction from the darkcharacteristicsof LW HgCdTe photodiode,The 31stInternational Conference on Infrared and Millimeter Wavesand 14thInternational Conference onTerahertz Electronics(IRMMW-THz2006), Sep.18-22, 2006,Shanghai(China). (Poster).
15）QuanZhijue，ChenXiaoshuang，LuWei，The modeling of darkcharacteristics for longwavelength HgCdTe photodiode，6th InternationalConference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices，29-30，NanyangTechnol Univ, Singapore, SINGAPORE，2006.9.11-2006.9.14
16）Z.J. Quan, G.B. Chen, L.Z. Sun, Z.H. Ye, Z.F.Li, and W. Lu，Effects ofmaterial natureson the simulation of HgCdTe photovoltaic devices，The30thInternational Conference on Infrared and Millimeter Waves (IRMMW2005), Sep. 29-Oct. 3, 2005, New York (America). (Poster).
榮譽獎勵
榮獲2006年度上海－套用材料研究與發展基金研究生獎學金。
