指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質,由於其分子受到電力的作用而發生取向(偏轉),呈現各向異性,結果產生雙折射,即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。後人稱...
二次電光效應:對於光各向同性的材料,在加上外加電場後,由於二次電光效應誘發的雙折射的折射率差為:△n=nₑ-n₀=ΚλE²。式中k為電光克爾常數;λ為人射光真空波長;E為外加電場強度。具有顯著克爾效應的透明介質一般為液體,如硝基苯(C₆H₅NO₂)、硝基甲苯(C₇H₇NO₂)等。這些...
科爾效應的兩種特殊情況通常被認為是克爾電光效應或直流科爾效應,以及光科爾效應或交流克爾效應。科爾電光效應 科爾電光效應(即直流科爾效應)是一種特殊情況,其中緩慢變化的外部電場例如通過樣品材料上的電極上的電壓施加。在這種影響下,樣品變成雙折射,對於平行於或垂直於施加電場偏振的光具有不同的折射率。折射率...
由一次項aE0引起折射率變化的效應,稱為一次電光效應,也稱線性電光效應或普克爾(Pokells)效應;由二次項bE02引起折射率變化的效應,稱為二次電光效應,也稱平方電光效應或克爾(Kerr)效應。一次電光效應只存在於不具有對稱中心的晶體中,二次電光效應則可能存在於任何物質中,一次效應要比二次效應顯著。光在各向...
電致雙折射(electric birefringence)效應也叫電光效應(photoelastic effect)。克爾效應引起的相位差為:套用 光開關: 當U=0時, ,光通不過 P2,關!當U為半波電壓時,克爾盒使線偏振光的振動 面轉過 2α =900,光正好能全部通過P2,開!優點:克爾盒的回響時間極短,每秒能夠開關109 次。可用於高速攝影、...
電光效應就是晶體折射率隨外加電場而發生變化的現象。其中折射率與外電場成正比的改變稱為線性電光效應或普克爾(Pockels)效應;與外電場的二次方成正比的改變稱為二次電光效應或克爾(Kerr)效應。儘管在電場作用下,電光效應晶體的折射率一般變化不大,但已經足以引起光在晶體中傳播的特性發生改變,從而可以通過外場...
Si基光調製器是藉助於Si晶體的電光效應而實現調製的。對於Si這樣的材料來說,由於晶體的對稱性,非線性電光普克爾效應發生在未應變的純Si中,在半導體材料中,增大電光相互作用的最好方法:一種是熱光效應;另一種是載流子注入。雙輸出電光強度調製器 雙輸出電光強度調製器一般採用M-Z型結構,其調製原理與M-Z干涉...
電光快門,無運動痛遮快門的一 種。足根據電光效應(克爾效應和普 克爾斯效應)製成的。其基本原理為在鏡頭前後或鏡巾安置兩片成正交的編 振片,偏振片中放置一克爾盒。克爾念 中的物質,可圖外加電場作加使入射 偏振光偏振面方向改變一直角。當物 光波經偏振片後變為偏振光,如克爾 盒無電場接逋,鼎振光不...
著重研究1-2 μm的跨倍頻程高相干的克爾光頻梳的產生和時域腔孤子鎖模的機理。利用色散波增強光頻梳中的長波長分量和f-2f自參考方法實現克爾光頻梳偏置頻率f0探測,並進行前向反饋鎖定。利用電光調製光學分頻方法實現200 GHz 重頻的探測,並將其鎖定至微波頻率標準。利用平衡光學互相關技術對腔孤子的時間抖動進行...
後者則與外電場成線性關係;前者可以在液體或非晶物質出現,後者只出現於沒有對稱中心的晶體物質。克爾效應或多或少會出現在每一種物質,但在某些液體會比較顯著。這效應最先由蘇格蘭科學家約翰·克爾(John Kerr)在1878年發現。克爾效應又分為克爾電光效應與克爾光學效應。相關條目 克爾效應 ...
§18.5 電磁波的都卜勒效應 專題選讀18 導波 第十九章 光的偏振 §19.1 原子發光模型 §19.2 光波列的頻譜寬度 §19.3 偏振態和偏振光 自然光 §19.4 偏振片 馬呂斯定律 §19.5 反射和折射時的偏振光 §19.6 雙折射與光的偏振 §19.7 光程 波片 圓偏振光 §19.8 克爾電光效應 旋光現象 專題選讀19...
磁光效應 磁光效應是指處於磁化狀態的物質與光之間發生相互作用而引起的各種光學現象。包括法拉第效應、克爾磁光效應、塞曼效應和科頓-穆頓效應等。這些效應均起源於物質的磁化,反映了光與物質磁性間的聯繫。光與磁場中的物質,或光與具有自發磁化強度的物質之間相互作用所產生的各種現象,主要包括法拉第效應、科頓-穆頓...
第2章 光學效應 35 2.1 光學都卜勒效應 35 2.2 聲光效應 36 2.3 磁光效應 37 2.3.1 法拉第效應 37 2.3.2 克爾磁光效應 38 2.3.3 磁光效應的套用 39 2.4 電光效應 40 2.4.1 泡克耳斯效應 41 2.4.2 基於電光效應的光纖電壓感測技術 42 2.4.3 一種基於電光效應的光纖電壓...