光電離截面的基本概念 :在帶電或不帶電粒子入射樣品時,使原子內原來占有電子的殼層中產生空位的機率稱之為電離截面。用“面積/原子”或“面積”表示,單位為“靶恩(Barn)”; 1Barn=10-24cm2. 光電離截面:穿越材料的入射光從所有次殼層中產生光電子的總電離截面。
光電離截面公式:σ(hν)=P(hv)/I(hv)
P(hv)是每單位時間單位面積上吸收特定能量的光子數目;
I(hv)是特定能量入射的光子的通量。
光電離截面的基本概念 :在帶電或不帶電粒子入射樣品時,使原子內原來占有電子的殼層中產生空位的機率稱之為電離截面。用“面積/原子”或“面積”表示,單位為“...
通過對光電離截面的研究得到的自電離寬度在模擬電漿的投射譜過程中具有重要的套用。(2)光電離過程是研究原子、離子中的電子關聯效應、相對論效應、通道禍合效應...
光電離光量計由數十焦耳能量的納秒雷射束產生的雷射電漿在真空紫外(VUV)和軟X射線區是一種強輻射源。...
發生光致電離的機率與光致電離截面有關,取決於光子和所靶目標的能量。對於能量低於電離閾值的光子,光電離截面接近零。 但是,隨著脈衝雷射器的發展,我們已經有可能...
[25]孫長平王國利周效信,F3+和Ne4+離子的光電離截面的理論計算,物理學報,60,053202 (2011)[24]吳金香,王國利,呂向向,周效信,用強場近似方法研究強雷射場...
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6.原子離子高激發態光電離截面的實驗研究,國家自然科學基金(No.10674002)2007.01-2009.12,第1參加人許新勝主要學術論文 編輯 1.Xinsheng Xu,Lixia Jia, Lei Shi...
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