基本介紹
- 中文名:光陰極量子材料
- 適用領域:量子材料
光陰極量子材料,是性能遠超傳統的光陰極材料的量子材料。西湖大學理學院長聘副教授何睿華團隊發現首個光陰極量子材料鈦酸鍶,且無法為現有理論所解釋,為光陰極研發、套用與基礎理論發展打開了新的天地。簡介光陰極量子材料,是性能遠超...
《變摻雜GaAs光陰極材料與量子效率理論研究》是依託南京理工大學,由常本康擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 變摻雜GaAs光陰極材料是指在一定厚度的GaAs光電發射層內,通過採用體內摻雜濃度高,往表面濃度逐漸降低的變摻雜方法,構建從內到外的內建電場,在內建電場的作用下,光電子以擴散加漂移的運動方式到達陰極...
該資料庫的所有權歸中國天文學會所有。資料來源 中國天文學名詞審定委員會網站:維基天文網站:科研成果 西湖大學理學院何睿華課題組連同研究合作者一起,發現了世界首例具有本徵相干性的光陰極量子材料,其性能遠超傳統的光陰極材料,且無法為現有理論所解釋,為光陰極研發、套用與基礎理論發展打開了新的天地。
4.6.1 X射線光電子能譜儀 4.6.2 紫外光電子能譜儀 4.6.3 變角XPS表面分析技術 4.7 超高真空的殘氣分析系統 4.7.1 四極質譜儀原理與結構 ……第5章 反射式GaAs光電陰極的激活工藝及其最佳化研究 第6章 反射式變摻雜GaAs光電陰極材料與量子效率理論研究 第7章 透射式變摻雜GaAs光電陰極理論與實踐...
本項目擬開展藍延伸指數摻雜GaAlAs/GaAs光電陰極製備及其理論研究,通過建立正確合理的藍延伸指數摻雜GaAlAs/GaAs光電陰極量子效率模型,從能帶結構、光學性能、量子效率等多方面綜合考慮最佳化設計藍延伸指數摻雜GaAlAs/GaAs光電陰極結構,再通過材料性能表征和陰極激活實驗比較MOCVD和MBE生長的藍延伸指數摻雜GaAlAs/GaAs光電陰極...
第4章 GaN光電陰極光譜回響 4.1 引言 4.2 光譜回響測試的原理 4.3 紫外光譜回響測試儀簡介 4.4 GaN光電陰極光譜回響測試 4.4.1 反射式NEA GaN光電陰極光譜回響曲線特點 4.4.2 反射式NEA GaN光電陰極光譜回響曲線討論 4.4.3 影響反射式NEA GaN光電陰極量子產額的因素 4.4.4 透射式NEA GaN光電陰極光譜...
此前以鈦酸鍶為首的氧化物量子材料研究,主要是將這些材料當作矽基半導體的潛在替代材料來研究,但何睿華團隊卻通過一種強大的、但很少被套用於光陰極研究的實驗手段:角分辨光電子能譜技術,出乎意料地捕捉到這些熟悉的材料竟然同樣承載著觸發新奇光電效應的能力——它有著遠超於現有光陰極材料的光陰極關鍵性能:相干...