《光學與光子學叢書：GaAs光電陰極》是科學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名：光學與光子學叢書：GaAs光電陰極
- 作者：常本康
- 出版社：科學出版社
- ISBN：9787030356963
內容簡介,目錄,
內容簡介
《光學與光子學叢書：GaAs光電奔喇請甩陰極》共分8章，介紹了三代微光像增強器、GaAs和GaAlAs材料及光電陰極的發展概況；研究了GaAs光電陰極的光電發射與光譜回響理論、多信息量測控與評估系統、激活工藝及其最佳化；提出了變摻雜GaAs光電陰極的物理概念，探索了反射式和透射式變摻雜GaAs光電陰極理論，在三代微光像增強器中進行了實踐；最後針對新一代微光像增強器研究，對GaAs光電陰極進行了回顧與展望。
《光學與光子學叢書：GaAs光電陰極》可作為腿閥大專院校光學工程、電子科學與技術和光信息科學與技術等專業本科生和研究生的教學用書，也可供從事光電陰極及電子源研究的科研人員和工程技術人員、教師閱讀，同時也可供從事光電陰極和電子源生產以及使用光電器件或電子槍的有關人員參考。
目錄
第1章 緒論
1．1 三代微光像增強器簡介
1．1．1 三代微光像增強器的基本原理
1．1．2 GaAlAs/GaAs光電陰極
1．1．3 微通道板（MCP）
1．1．4 積分靈敏度
1．1．5 分辨力、MTF
1．1．6 信噪比
1．2 三代微光像增強器的套用領域及國內外發展現狀
1．2．1 三代微光像增強器的套用領域
1．2．2 三代微光像增強器的國內外發展現狀
1．辣府頸3 GaAs光電陰極的發展概況
1．3．1 GaAs光電陰極的發現及特點
1．3．2 GaAs光電陰極的製備
1．4 GaAs光電陰極的國內外研究現狀
1．4．1 GaAs光電陰極的材料特性
1．4．2 GaAs光電陰極激活工藝的研究
1．4．3 GaAs光電陰極的穩定性研究
1．請連葛4．4 GaAs光電陰極表面模型的研究
1．5 國內外GaAs光電陰極的性能現狀
1．5．1 國外GaAs光電陰極的技術水平現狀
1．5．2 國內GaAs光電陰極的技術水平現狀
第2章 GaAs和GaAlAs光電陰極材料
2．1 GaAs材料的性質
2．1．1 GaAs的物理和熱學性質
2．1．2 GaAs的電阻率和載流子濃度
2．1．3 GaAs中載流子離化率
2．1．4 GaAs中電子的遷移率、擴散和壽命
2．1．5 GaAs中空穴的遷移率、擴散和壽命
2．1．6 GaAs的能帶間隙
2．1．7 GaAs的光學函式
2．1．8 GaAs的紅外吸收
2．1．9 GaAs的光致發光譜
2．1．1 0GaAs中缺陷和缺陷的紅外映像圖
2．1．1 1GaAs的表面結構和氧化
2．1．1 2GaAs的腐蝕速率
2．1．1 3GaAs的界面和接觸
2．2 GaAlAs材料的一般性能
2．2．1 GaAlAs中的缺陷能級
2．2．2 GaAlAs中的DX缺陷中心
2．2．3 GaAlAs的光致發光譜
2．2．4 GaAIAs的電子遷移率
2．2．5 LPEGaAlAs中的載流子濃度
2．達獄霉舟2．6 MOCVDGaAlAs的載流子濃度
2．2．7 MBEGaAlAs的載流子濃度
2．2．8 反應離子和反應離子束對GaAlAs的腐蝕速度
2．2．9 LPEGaAlAs的光學函式
第3章 GaAs光電陰極的光電發射與光譜回響理論
3．1 GaAs光電陰極光電發射過程
3．1．1 光電子激發
3．1．2 光電子往陰極表面的輸運
3．1．3 光電子隧穿表面勢壘
3．2 GaAs光電陰極電子能量分布
3．2．1 透射式光電陰極電子能量分布
3．2．2 反射式光電陰極電子能量分布
3．3 GaAs光電陰極量子效率公式的推導
3．3．1 反射式GaAs光電陰極
3．3．2 背面光照下的透射式GaAs光電陰極
3．3．3 正面光照下的透射式GaAs光電陰極
3．3．4 考慮T、L能谷及熱電子發射的量子效率公式
3．3．5 考慮煉匪霉前表面複合速率的量子效率公式推導
3．4 GaAs光電陰極性能參量對量子效率的影響
3．4．1 電子表面逸出幾率
3．4．2 電子擴散長度
3．4．3 光電陰極厚度
3．4．4 前表面複合速率
3．4．5 後界面複合速率
3．4．6 吸收係數
3．5 GaAs光電陰極性能參量的評估
3．5．1 P、LD、Sfv和Sv值的確定
3．5．2 積分靈敏度的計算
第4章 GaAs光電陰極多信息量測控與評估系統
4．1 GaAs光電陰極多信息量測控與評估系統的設計
4．1．1 Cs源電流的原位監測和記錄
4．1．2 O源電流的原位監測和記錄
4．1．3 超高真空系統真空度的原位府迎故監測和記錄
4．1．4 光電陰極光電流的原位監測和記錄
4．1．5 光電陰極光譜回響的原位監測和記錄
4．2 超高真空激活系統
4．2．1 超高真空激活系統的結構和性能
4．2．2 超高真空的獲取
4．2．3 超高真空系統與國外的差距
4．3 多信息量線上監控系統的構建
4．4 光譜回響測試儀
4．4．1 光譜回響測試原理
4．4．2 光譜回響測試儀的硬體結構
4．4．3 光譜回響測試儀的軟體編制
4．4．4 光譜回響測試方式
4．5 線上量子效率測試與自動激活系統
4．5．1 系統結構
4．5．2 系統硬體設計
4．5．3 自動激活策略
4．5．4 軟體設計
4．5．5 實驗與結果
4．6 GaAs光電陰極表面分析系統
4．6．1 X射線光電子能譜儀
4．6．2 紫外光電子能譜儀
4．6．3 變角XPS表面分析技術
4．7 超高真空的殘氣分析系統
4．7．1 四極質譜儀原理與結構
……
第5章 反射式GaAs光電陰極的激活工藝及其最佳化研究
第6章 反射式變摻雜GaAs光電陰極材料與量子效率理論研究
第7章 透射式變摻雜GaAs光電陰極理論與實踐
第8章 回顧與展望
參考文獻
2．1．1 0GaAs中缺陷和缺陷的紅外映像圖
2．1．1 1GaAs的表面結構和氧化
2．1．1 2GaAs的腐蝕速率
2．1．1 3GaAs的界面和接觸
2．2 GaAlAs材料的一般性能
2．2．1 GaAlAs中的缺陷能級
2．2．2 GaAlAs中的DX缺陷中心
2．2．3 GaAlAs的光致發光譜
2．2．4 GaAIAs的電子遷移率
2．2．5 LPEGaAlAs中的載流子濃度
2．2．6 MOCVDGaAlAs的載流子濃度
2．2．7 MBEGaAlAs的載流子濃度
2．2．8 反應離子和反應離子束對GaAlAs的腐蝕速度
2．2．9 LPEGaAlAs的光學函式
第3章 GaAs光電陰極的光電發射與光譜回響理論
3．1 GaAs光電陰極光電發射過程
3．1．1 光電子激發
3．1．2 光電子往陰極表面的輸運
3．1．3 光電子隧穿表面勢壘
3．2 GaAs光電陰極電子能量分布
3．2．1 透射式光電陰極電子能量分布
3．2．2 反射式光電陰極電子能量分布
3．3 GaAs光電陰極量子效率公式的推導
3．3．1 反射式GaAs光電陰極
3．3．2 背面光照下的透射式GaAs光電陰極
3．3．3 正面光照下的透射式GaAs光電陰極
3．3．4 考慮T、L能谷及熱電子發射的量子效率公式
3．3．5 考慮前表面複合速率的量子效率公式推導
3．4 GaAs光電陰極性能參量對量子效率的影響
3．4．1 電子表面逸出幾率
3．4．2 電子擴散長度
3．4．3 光電陰極厚度
3．4．4 前表面複合速率
3．4．5 後界面複合速率
3．4．6 吸收係數
3．5 GaAs光電陰極性能參量的評估
3．5．1 P、LD、Sfv和Sv值的確定
3．5．2 積分靈敏度的計算
第4章 GaAs光電陰極多信息量測控與評估系統
4．1 GaAs光電陰極多信息量測控與評估系統的設計
4．1．1 Cs源電流的原位監測和記錄
4．1．2 O源電流的原位監測和記錄
4．1．3 超高真空系統真空度的原位監測和記錄
4．1．4 光電陰極光電流的原位監測和記錄
4．1．5 光電陰極光譜回響的原位監測和記錄
4．2 超高真空激活系統
4．2．1 超高真空激活系統的結構和性能
4．2．2 超高真空的獲取
4．2．3 超高真空系統與國外的差距
4．3 多信息量線上監控系統的構建
4．4 光譜回響測試儀
4．4．1 光譜回響測試原理
4．4．2 光譜回響測試儀的硬體結構
4．4．3 光譜回響測試儀的軟體編制
4．4．4 光譜回響測試方式
4．5 線上量子效率測試與自動激活系統
4．5．1 系統結構
4．5．2 系統硬體設計
4．5．3 自動激活策略
4．5．4 軟體設計
4．5．5 實驗與結果
4．6 GaAs光電陰極表面分析系統
4．6．1 X射線光電子能譜儀
4．6．2 紫外光電子能譜儀
4．6．3 變角XPS表面分析技術
4．7 超高真空的殘氣分析系統
4．7．1 四極質譜儀原理與結構
……
第5章 反射式GaAs光電陰極的激活工藝及其最佳化研究
第6章 反射式變摻雜GaAs光電陰極材料與量子效率理論研究
第7章 透射式變摻雜GaAs光電陰極理論與實踐
第8章 回顧與展望
參考文獻
