光熱電離譜屬於學科專屬名詞。
| 中文名稱 | 光熱電離譜 |
| 英文名稱 | photothermal ionization spectroscopy，PTIS |
| 定 義 | 當半導體處於低溫和紅外光照射下時，利用光和熱兩步激發，探測入射光子能量與由電子(或空穴)躍遷引起的光電導回響關係，確定雜質種類及其濃度的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料性能測試（三級學科） |
光熱電離譜
光熱電離譜屬於學科專屬名詞。
| 中文名稱 | 光熱電離譜 |
| 英文名稱 | photothermal ionization spectroscopy，PTIS |
| 定 義 | 當半導體處於低溫和紅外光照射下時，利用光和熱兩步激發，探測入射光子能量與由電子(或空穴)躍遷引起的光電導回響關係，確定雜質種類及其濃度的技術。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料性能測試（三級學科） |