光學浮區法晶體生長試驗系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年7月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:光學浮區法晶體生長試驗系統
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2012年7月12日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
加熱功率 400w,抽拉速率 0.01mm/min--100mm/min。
主要功能
金屬提純,單晶生長。
光學浮區法晶體生長試驗系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年7月12日啟用。