光刻膠三維效應是由於入射到光刻膠表面的不同入射角的光線對應的折射角不同而導致的最佳聚焦位置偏差引起的。
基本介紹
- 中文名:光刻膠三維效應
- 外文名:Resist 3D Effect
光刻膠三維效應是由於入射到光刻膠表面的不同入射角的光線對應的折射角不同而導致的最佳聚焦位置偏差引起的。
光刻膠三維效應是由於入射到光刻膠表面的不同入射角的光線對應的折射角不同而導致的最佳聚焦位置偏差引起的。...
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程,描述這一...
尤其需要指出的是,矽基微柱陣列底部由於光刻膠去除以及矽深刻蝕中的微掩模效應而產生了 “微草結構”,這些“微草”使三維微電極表面積提高,且其納米尖端成為...
極紫外成像模型應該包括掩模三維效應模型、曝光縫隙位置效應、像差、光刻膠模型、雜散光模型等。...
使用光學的辦法來測量光刻膠圖形的線寬等幾何尺寸的儀器稱為散射儀。散射儀(scattermetry)的工作原理是:一束光入射在晶圓表面,晶圓表面的光刻膠圖形對入射光產生...