光刻刻蝕切割工藝

在積體電路生產中，先使用光刻（L）和刻蝕（E）形成一維的線條，然後再使用另一次光刻和刻蝕對一維線條進行切割，實現所需要的圖形的工藝，稱為光刻刻蝕切割工藝（LE+Cut）。

基本介紹

• 中文名：光刻刻蝕切割工藝
• 外文名：LE+Cut

工藝簡介

光刻刻蝕切割工藝（LE+Cut）比較適用於光刻層圖形是一維的線條。第二次光刻和刻蝕只對線條做切割，並不增加線條的解析度。光刻刻蝕切割工藝實現的圖形解析度由第一次光刻提供。1.35 數值孔徑 （NA）的193i光刻可以實現最小為38nm 1:1 (線寬/間距)的一維線條，所以光刻刻蝕切割工藝可以支持周期大於76nm的一維設計。第二次光刻（cut）難度主要在於保持與第一次圖形的對準，它們之間的套刻誤差必須小於線條之間距離的一半。

隨著格線化設計規則（gridded design rules, GDR）的採用，LE+Cut工藝得到了廣泛的套用，特別是在邏輯器件中的淺溝槽（shallow trench insulation）和柵極層（gate）。32nm 至 14nm 邏輯技術節點的淺溝槽絕緣層和柵極層光刻基本上都是依靠LE+Cut工藝來實現的。