簡要概況
信息功能材料
國家重點實驗室依託於
中國科學院上海微系統與信息技術研究所(原中國科學院上海冶金研究所)。實驗室是經國家計委批准於1991年利用世界銀行貸款建立的。1992年12月,中國科學院批准實驗室邊建設、邊科研、邊開放。1995年6月,實驗室通過了國家驗收。1998年和2003年兩次通過了國家評估。1998年被評為優秀國家重點實驗室,2003和2008年均被評為良好國家重點實驗室。現任學術委員會主任為張傑院士,實驗室主任為曹俊誠研究員。信息功能材料國家重點實驗室在完善學科體系、增強基礎研究力量、提高原始創新能力、加強學術帶頭人培養、面向國際科技前沿及國家重大戰略需求開展基礎和套用研究等方面取得了長足的進步。
學科前沿
信息功能材料是信息系統發展的先導和物質基礎,它在資源、環境、健康、安全等領域發揮著巨大作用。信息功能材料
國家重點實驗室已經歷了18年的建設與發展歷程,在信息的獲取、轉換、處理和存儲等科技前沿領域,瞄準化合物和矽基半導體材料與器件、微納電子材料與器件及套用等方向,在發展新型信息功能薄膜材料及其製備新技術和新方法研究等方面具有深厚的研究積累,作為從事信息功能材料的重要國家科技力量,在國內外相關領域中具有重要的地位與影響。
研究領域
實驗室主要圍繞信息的獲取、轉換、處理和存儲等高科技前沿領域,研究並發展新型信息功能薄膜材料及其製備新技術和新方法,開展信息功能薄膜材料的電學、光學、磁學和結構特性等基本問題及其器件套用的研究。主要研究內容為:
(1)化合物半導體微結構材料與器件:包括光通信用量子阱雷射器和探測器材料與器件,中遠紅外波段量子級聯雷射器材料與器件,微波毫米波器件與電路用異質結構材料,光電集成材料與器件,高效太陽電池等;
(2)矽基及新型信息功能薄膜材料:包括SOI材料製備新技術,微電子用SOI材料,光子集成用SOI材料,新型SOI材料,光子晶體材料等;
(3)太赫茲光電子學:包括太赫茲光電子器件與物理,太赫茲低維半導體振盪器設計與模擬等。
儀器設備
實驗室擁有固態源分子束外延、氣態源分子束外延、氣相沉積、超高真空電子束鍍膜、準分子雷射沉積等大型薄膜材料製備系統,還有X射線四晶衍射、低溫傅立葉變換光譜、光柵光譜、霍爾測試、電化學C-V測試、原子力顯微鏡、半導體器件參數測試儀、雷射器參數測試儀等完整配套的分析測試儀器和器件製作工藝線。
項目成果
實驗室建立以來,在半導體輸運理論、化合物半導體微結構材料與器件、SOI材料等方面取得了豐碩的研究成果,形成了自己的特色和優勢,先後獲得國家、中國科學院和上海市自然科學獎、科技進步獎10多項,其中“半導體輸運的平衡方程理論”獲得1995年國家自然科學二等獎,“銻化鎵、砷化鎵和磷化銦基高質量MBE半導體微結構材料”獲得1997年國家科技進步三等獎。
學術團隊
實驗室現有固定研究和技術人員23名,其中研究員8名,副研究員3名,高級工程師2名,9人擁有博士學位,6人擁有碩士學位,形成了知識結構和年齡層次合理、富有拼搏精神和創新能力的科研隊伍。實驗室還是依託單位材料科學與工程博士後流動站、微電子學與固體電子學博士點、半導體材料和半導體物理與半導體器件物理碩士點的一部分,現有在站博士後3名、在學博士生和碩士生20多名,成為實驗室科研工作的生力軍。
交流合作
實驗室建立以來,每年均設立了開放課題,並與國內外多個研究機構和大學的相關實驗室建立了密切的合作關係,開展經常性的學術交流和互訪活動,委派研究人員進行合作研究,對提高實驗室的研究水平和擴大實驗室的影響發揮了重要作用。