俞文杰，男，1983年7月出生，上海人，2011年6月參加工作，研究員、博士生導師。
現任中國科學院上海微系統與信息技術研究所副所長，上海積體電路材料研究院有限公司董事長兼總經理，上海市青年聯合會第十三屆副主席。
基本介紹
- 中文名：俞文杰
- 國籍：中國
- 出生日期：1983年7月
- 畢業院校：復旦大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所、德國於利希研究中心
- 籍貫：上海
人物經歷,教育背景,工作經歷,職務任免,主要成就,專利成果,科研項目,參與會議,發表論文,出版圖書,
人物經歷
教育背景
2001-09--2005-06 復旦大學 本科/學士
2005-09--2011-06 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 研究生/博士
2009-09--2011-06 德國於利希研究中心(Forschungszentrum Juelich) 聯合培養博士生
工作經歷
2011年6月起，歷任上海微系統所助理研究員、副研究員、研究員。
2019年11月起，任上海微系統所所長助理、戰略研究室主任。
2020年6月起，任上海積體電路材料研究院有限公司董事長、總經理。
2020年7月起，任上海微系統所所務委員、戰略研究室主任。
2020年12月起，任上海微系統所所務委員、戰略研究室主任、矽基材料與集成器件實驗室代理主任。
2021年11月起，任上海微系統所所務委員、矽基材料與集成器件實驗室主任、黨總支書記。
2022年10月起，任上海微系統所副所長。
2024年01月起，任上海市青年聯合會第十三屆委員會副主席。
職務任免
2023年11月，經研究，決定俞文杰同志試用期考核合格，正式任上海微系統與信息技術研究所副所長，任職時間從2022年10月起計算。
2024年1月18日，上海市青年聯合會第十三屆委員會第一次全體會議召開，會議選舉俞文杰為上海市青年聯合會第十三屆委員會副主席。
主要成就
有多年從事基於SOI的高遷移率材料與器件研究的經驗，具有紮實的半導體材料及器件的理論基礎，並熟練掌握SOI 及其他高端矽基材料的製備技術和MOS器件製備技術，同時還積累了豐富的高遷移率MOS 器件的製備、分析的經驗。共在發表學術論文50餘篇，其中高遷移率MOS 器件的研究成果在IEEE Electron Device Letter、IEEE Transaction on Electron Device等國際頂尖電子器件期刊上發表。目前主持國家自然科學基金青年基金一項，上海自然科學基金青年基金一項，參與國家科技重大專項“02專項”兩項。
專利成果
(1)基於圖形化SOI襯底的抗輻照電晶體及其製作方法.2021.第2作者.專利號: CN109935628B
(2)改善自熱效應的SOI器件及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111986996A
(3)具有納米級空腔結構的SOI襯底及其製備方法.2020.第1作者.專利號: CN111952240A
(4)具有環柵結構的場效應電晶體的製備方法.2020.第1作者.專利號: CN111952183A
(5)具有空腔結構的SOI襯底及其製備方法.2020.第1作者.專利號: CN111952238A
(6)減少側邊漏電的SOI場效應電晶體及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952182A
(7)具有隔離層的場效應電晶體及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952188A
(8)可降低對準難度的SOI器件及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952185A
(9)具有隔離層的鰭式場效應電晶體及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952181A
(10)具有漏電禁止結構的SOI場效應電晶體及其製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952187A
(11)基於空腔包圍結構的環形柵場效應電晶體及製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952189A
(12)具有空腔結構的半導體襯底及其製備方法.2020.第1作者.專利號: CN111952239A
(13)具有輔助支撐結構的半導體襯底及其製備方法.2020.第1作者.專利號: CN111952241A
(14)基於空腔包圍結構的場效應電晶體及製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952186A
(15)基於圖形化埋層介質層的環柵場效應電晶體的製備方法.2020.第2作者.專利號: CN111952184A
(16)高通量氣相沉積設備及氣相沉積方法.2020.第2作者.專利號: CN110408910B
(17)利用可控缺陷石墨烯插入層製備金屬-半導體合金的方法.2019.第3作者.專利號: CN106711019B
(18)高通量薄膜沉積設備及薄膜沉積方法.2019.第2作者.專利號: CN110306160A
(19)用於射頻與CMOS電路共集成的絕緣體上矽襯底及製備方法.2019.第1作者.專利號: CN105810694B
(20)基於絕緣體上矽襯底的射頻共面波導元件及其製備方法.2019.第1作者.專利號: CN105914445B
(21)SiGeSn材料及其製備方法.2019.第3作者.專利號: CN106328502B
(22)一種圖形化絕緣體上矽襯底材料及其製備方法.2018.第1作者.專利號: CN105895575B
(23)基於絕緣體上矽襯底的射頻電感元件及其製備方法.2018.第1作者.專利號: CN105789189B
(24)場效應電晶體結構及其製備方法.2018.第4作者.專利號: CN107871780A
(25)基於絕緣體上矽襯底的射頻電容元件及其製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105895507A
(26)一種圖形化絕緣體上矽襯底材料及其製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105633002A
(27)一種絕緣體島上矽襯底材料及其製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105633001A
(28)一種基於絕緣體島上矽襯底的CMOS器件結構及製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105633084A
(29)一種絕緣體島上矽襯底材料及其製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105552019A
(30)一種基於圖形化絕緣體上矽襯底的CMOS器件結構及製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105428358A
(31)一種基於絕緣體島上矽襯底的CMOS器件結構及製備方法.2016.第1作者.專利號: CN105390495A
(32)基於sSi/SiGe/sSOI襯底的CMOS器件及其製作方法.2015.第4作者.專利號: CN105097846A
(33)基於Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物感測器及其製備方法.2015.第2作者.專利號: CN104730111A
(34)基於超薄絕緣層SOI上的MOSFET背柵生物感測器及其製備方法.2015.第2作者.專利號: CN104730137A
(35)基於sSOI MOSFET的生物感測器及其製備方法.2015.第2作者.專利號: CN104713931A
(36)一種基於矽納米線隧穿場效應電晶體的生物感測器及其製備方法.2014.第1作者.專利號: CN103558279A
(37)一種基於隧穿場效應電晶體的生物感測器及其製備方法.2014.第1作者.專利號: CN103558280A
(38)一種垂直結構的隧穿場效應電晶體及其製備方法.2014.第2作者.專利號: CN103560152A
(39)一種隧穿場效應電晶體及其製備方法.2014.第2作者.專利號: CN103560153A
(40)一種基於垂直結構隧穿場效應電晶體的生物感測器及其製備方法.2014.第2作者.專利號: CN103558254A
(41)一種圖形化全耗盡絕緣體上Si/NiSi2襯底材料及其製備方法.2013.第1作者.專利號: CN103137546A
(42)一種絕緣體上Si/NiSi2襯底材料及其製備方法.2013.第1作者.專利號: CN103137547A
(43)一種絕緣體上Si/CoSi2襯底材料及其製備方法.2013.第2作者.專利號: CN103137539A
(44)一種圖形化絕緣體上Si/NiSi2襯底材料及其製備方法.2013.第2作者.專利號: CN103137538A
(45)一種圖形化全耗盡絕緣體上Si/CoSi2襯底材料及其製備方法.2013.第2作者.專利號: CN103137537A
(46)一種圖形化絕緣體上Si/CoSi2襯底材料及其製備方法.2013.第1作者.專利號: CN103137565A
科研項目
(1)無背柵 SOI MOS 器件研製及其抗總劑量輻射效應機理研究.負責人.國家任務.2017-01--2020-12
(2)納米級全耗盡高遷移率應變矽鍺量子阱溝道器件研究.負責人.地方任務.2012-10--2015-09
(3)高遷移率Si/SiGe/SOI 量子阱MOS器件載流子散射機理研究.負責人.國家任務.2014-01--2016-12
(4)中國科學院“青年創新促進會”項目.負責人.中國科學院計畫.2014-01--2017-12
(5)16/14nm基礎技術研究 絕緣體上III-V族化合物襯底材料製備技術研究.參與.中國科學院計畫.2013-01--2014-12
(6)面向超靈敏探測的異質集成研究.負責人.中國科學院計畫.2016-07--2021-06
(7)積體電路材料基因組關鍵技術研究與套用示範.負責人.地方任務.2020-08--2022-07
(8)略.負責人.國家任務.2022-01--2024-12
參與會議
(1)High Hole Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-well Transistor 2015-10-24
(2)High Hole Mobility (s)Si/SiGe/(s)SOI Quantum Well p-MOSFETs 第八屆中國功能材料及套用學術會議 2013-08-24
(3)Characteristics of higher-κ dielectric LaLuO3with TiN as gate stack 2012-10-29
(4)Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure 2012-05-14
(5)High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/strained SOI p-MOSFET with HfO2/TiN Gate Stack 2010-11-01
發表論文
(1)Suspended MoS2Photodetector Using Patterned Sapphire Substrate.SMALL.2021.第8作者
(2)High-Performance MoS2Photodetectors Prepared Using a Patterned Gallium Nitride Substrate.ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.2021.第6作者
(3)Chlororespiration protects the photosynthetic apparatus against photoinhibition by alleviating inhibition of photodamaged-PSII repair in Haematococcus pluvialis at the green motile stage.ALGAL RESEARCH-BIOMASS BIOFUELS AND BIOPRODUCTS.2021.第2作者
(4)基於雜質分凝技術的隧穿場效應電晶體電流鏡.半導體技術.2021.第7作者
(5)Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.2021.通訊作者
(6)DFT and Raman study of all-trans astaxanthin optical isomers.SPECTROCHIMICA ACTA PART A-MOLECULAR AND BIOMOLECULAR SPECTROSCOPY.2021.第3作者
(7)2D III-Nitride Materials: Properties.Growth.and Applications.ADVANCED MATERIALS.2021.第9作者
(8)Dietary Haematococcus pluvialis powder supplementation affect carotenoid content.astaxanthin isomer.antioxidant capacity and immune-related gene expression in Pacific white shrimp.Litopenaeus vannamei.AQUACULTURE RESEARCH.2021.第1作者
(9)Exogenous sodium fumarate enhances astaxanthin accumulation in Haematococcus pluvialis by enhancing the respiratory metabolic pathway.BIORESOURCE TECHNOLOGY.2021.第1作者
(10)Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing.ACTA PHYSICA SINICA.2021.第7作者
(11)Astaxanthin isomers: Selective distribution and isomerization in aquatic animals.AQUACULTURE.2020.第1作者
(12)Comparison of effect of dietary supplementation with Haematococcus pluvialis powder and synthetic astaxanthin on carotenoid composition.concentration.esterification degree and astaxanthin isomers in ovaries.hepatopancreas.carapace.epithelium of adult female Chinese mitten crab (Eriocheir sinensis).AQUACULTURE.2020.第2作者
(13)Phase evolution of ultra-thin Ni silicide films on CF4plasma immersion ion implanted Si.NANOTECHNOLOGY.2020.通訊作者
(14)Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation.APPLIED PHYSICS EXPRESS.2020.第5作者
(15)Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3stress liner grown by atomic layer deposition.Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3stress liner grown by atomic layer deposition.PHOTONICS RESEARCH.2020.第5作者
(16)Evidence for ferromagnetic order in the CoSb layer of LaCoSb2.PHYSICAL REVIEW B.2020.第9作者
(17)Artificial Carbon Graphdiyne: Status and Challenges in Nonlinear Photonic and Optoelectronic Applications.ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.2020.第5作者
(18)基於鐵電材料的人工突觸器件的研究進展.Research progress of artificial synaptic devices based on ferroelectric materials.功能材料與器件學報.2020.第6作者
(19)Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors.PHOTONICS RESEARCH.2019.第7作者
(20)Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy.Nature Communications.2019.其他(合作組作者)
(21)A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes.IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY.2019.通訊作者
(22)Wafer-Scale Fabrication of42degrees Rotated Y-Cut LiTaO3-on-Insulator (LTOI) Substrate for a SAW Resonator.ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS.2019.第15作者
(23)基於FDSOI的TFET和MOSFET總劑量效應仿真.Simulation of Total Ionizing Dose Effect in Tunneling- FET and MOSFET Based on FDSOI.半導體技術.2019.第6作者
(24)3d local manipulation of the metal-insulator transition behavior in vo2thin film by defect-induced lattice engineering.ADVANCED MATERIALS INTERFACES.2018.第9作者
(25)High-K substrate effect on thermal properties of2D InSe few layer.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.2018.第8作者
(26)Band alignment of In2O3/beta-Ga2O3interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy.APPLIED PHYSICS LETTERS.2018.第8作者
(27)Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer.Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer.中國物理快報：英文版.2018.第7作者
(28)Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties.Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties.納米研究：英文版.2018.第13作者
(29)雜質吸附對背柵MoS2場效應電晶體電學性能的影響.Influence of Impurity Adsorption on Electrical Properties of Back-Gated MoS2Field Effect Transistors.電子器件.2018.第6作者
(30)具有86mV/dec亞閾值擺幅的MoS_2/SiO_2場效應電晶體.86mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS_2FET on SiO_2.JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES.2017.通訊作者
(31)Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.中國物理快報：英文版.2017.第6作者
(32)Monolayer WxMo1-xS2Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors.ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS.2017.第3作者
(33)Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky Barrier MOSFETs with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.Chinese Physics Letters.2017.通訊作者
(34)Ion-sensitive field-effect transistor with ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well for high voltage sensitivity.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2016.通訊作者
(35)Investigation of coulomb scattering on ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well p-mosfets.JOURNAL OF SEMICONDUCTORS.2016.通訊作者
(36)700℃退火下鋁調製鎳矽鍺薄膜的外延生長機理.Mechanism of NiSi_(0.7)Ge_(0.3) epitaxial growth by Al interlayer mediation at700℃.物理學報.2016.第5作者
(37)Band alignment of atomic layer deposited high-k Al2O3/multilayer MoS2interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.2015.通訊作者
(38)Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates.CHINESE PHYSICS B.2015.第6作者
(39)AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating.SCIENTIFIC REPORTS.2015.第3作者
(40)高錫含量鍺錫合金和鎳反應的形貌研究.Morphology research of high Sn concentration GeSn alloy reacted with Nickel.功能材料與器件學報.2015.第5作者
(41)Band alignment of HfO2/multilayer MoS2interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of CHF3treatment.APPLIED PHYSICS LETTERS.2015.第8作者
(42)High performance strained Si0.5Ge0.5quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process.Superlattices and Microstructures.2015.通訊作者
(43)Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES.2014.第1作者
(44)Experimental Study on NBTI Degradation Behaviors in Si pMOSFETs Under Compressive and Tensile Strains.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.2014.第4作者
(45)Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis.Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis.中國物理快報：英文版.2014.第2作者
(46)Impact of Si cap.strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2014.
(47)熱處理中Si/SiGe/Si界面互擴散.Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing.功能材料與器件學報.2014.第3作者
(48)High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process.Applied Physics Express.2014.通訊作者
(49)Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO_3Gate Dielectric.Chinese Physics Letters.2014.第1作者
(50)C~+離子注入SiGe襯底提高NiSiGe表面和界面特性研究.Improved NiSiGe Surface and Interface Morphologies on C Pre - implanted SiGe.功能材料與器件學報.2013.第2作者
(51)Hole mobility of Si/Si0.5Ge0.5quantum-well transistor on SOI and strained SOI.IEEE Electron Device Letters.2012.第1作者
(52)High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5quantum well p-MOSFETs with higher-κ/Metal-Gate.Solid State Electronics.2011.第1作者
(53)PDSOI MOS器件總劑量輻射效應和FDSOI高遷移率MOS器件研究.2011.第1作者
(54)矽離子注入引入納米晶對SIMOX材料進行總劑量輻射加固.Total Dose Radiation Hardening Process for SIMOX material with Si Nanocrystals Formed by Si Ion Implantation.功能材料與器件學報.2011.第3作者
(55)浮柵存儲器的單粒子輻射效應研究進展.Single event effect in floating gate memories.功能材料與器件學報.2010.第7作者
(56)用Pseudo-MOS電晶體和nMOS電晶體表征SIMOX SOI材料的抗總劑量輻射能力.第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會論文集.2009.第4作者
(57)浮柵存儲器的總劑量輻射效應研究進展.第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會論文集.2009.第6作者
(58)注矽工藝對埋氧層中陷阱電荷的影響.第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會論文集.2009.第3作者
(59)套用於抗輻照SRAM的地址轉換監控電路的設計.第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會論文集.2009.第4作者
(60)SOI器件總劑量輻射效應研究進展.第十屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術年會論文集.2009.第1作者
(61)Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts.Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts.中國物理C：英文版.2008.第4作者
(62)Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts.CHINESE PHYSICS C.2008.第4作者
(63)部分耗盡SOI MOSFET總劑量效應與偏置狀態的關係(英文).高能物理與核物理.2007.第1作者
(64)部分耗盡SOI MOSFET總劑量輻射效應的最惡劣偏置狀態.Worst- Case Bias during Total Dose Radiation of Partially Depleted SOI MOSFET.功能材料與器件學報.2007.第1作者
(65)SOI NMOS電晶體在高劑量的X射線與^60Coγ射線輻射作用下的背柵閾值電壓漂移飽和效應的研究及比對.Saturation of back - gate threshold voltage shift in SOI NMOS transistors at high total dose for X -ray and ^60Co irradiations.功能材料與器件學報.2007.第5作者
(66)利用矽離子注入提高SOI材料的抗輻射性能(英文).第六屆中國功能材料及其套用學術會議論文集(2).2007.第1作者
(67)部分耗盡SOI MOSFET總劑量效應與偏置狀態的關係.Bias Dependence of Total Dose Effect of Partially Depleted SOI MOSFET.高能物理與核物理.2007.第1作者
(68)注矽對SIMOX材料性能影響的研究.第六屆中國功能材料及其套用學術會議論文集.2007.第5作者
(69)部分耗盡SOI MOSFET總劑量輻射效應的最惡劣偏置狀態(英文).功能材料與器件學報.2007.第1作者
(70)總劑量輻射下的SOI電晶體中的陷阱電荷分布.第六屆中國功能材料及其套用學術會議.2007.第3作者
(71)利用矽離子注入提高SOI材料的抗輻射性能.Improved SOI material by Si ion implantation for radiation protection.功能材料.2007.第1作者
(72)注矽對SIMOX材料性能影響的研究.A Study on the effect of silicon implantation on SIMOX SOI.功能材料.2007.第5作者
(73)總劑量輻射下的SOI電晶體中的陷阱電荷分布.Trapped charge buildup during total dose irradiation of SOI MOSFET.功能材料.2007.第3作者
(74)SOI NMOSFET總劑量輻射效應偏置依賴關係的模擬.第十四屇全國半導體積體電路、矽材料學術年會論文集.2005.第1作者
出版圖書
作者類型：
作者時間：2021年12月
積體電路材料基因組技術.電子工業出版社.2021-12.第1作者
