低溫電漿中離子輸運特性對薄膜生長的影響

《低溫電漿中離子輸運特性對薄膜生長的影響》是依託華中科技大學，由劉祖黎擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：低溫電漿中離子輸運特性對薄膜生長的影響
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：劉祖黎
• 依託單位：華中科技大學
• 批准號：19775016
• 申請代碼：A2902
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
• 支持經費：11（萬元）

項目摘要

設計了離子收集系統，成功測量了在磁鏡場中電漿能量分布、電漿溫度等微觀輸運特性參數。利用蒙特卡羅方法計算了外磁場對等離子全輸運過程的影響，結果表明利用外磁場可大大增加電子和離子的密度等。詳細考慮了基底表面吸附粒子與最近鄰和次近鄰粒子間的相互作用，首次研究了電漿近表面離子能量對薄膜生長初期形貌的影響，結果表明低能離子照射增加了吸附粒子表面擴散能力，改善了薄膜生長過程；隨離子能量升高，薄膜形貌經歷了從分形、分枝到緊密生長過程，這與實驗結果吻合。由於高能離子濺射作用，薄膜表面成核點增加，促進了表面吸附粒了的凝聚，加快了薄膜生長。課題研究中曾應邀到國際會儀上做學術報告。