基本介紹
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內容簡介
《低氣壓低溫電漿診斷原理與技術》介紹了低氣壓低溫電漿診斷技術的基礎知識，總結了近年來該領域的一些進展，提供了低氣壓低溫電漿診斷技術套用的實例。全書共7章。第1-3章主要介紹了電漿的基本概念與性質，低溫電漿的產生方法和電漿中的基本化學過程。第4章著重講述了低氣壓低溫電漿的探針診斷技術及其套用。第5章介紹了低氣壓低溫電漿的波干涉診斷技術。第6章和第7章分別講述了低氣壓低溫電漿的光譜和質譜診斷技術及其套用。本書附錄中收集整理了部分原子、分子、離子發光的特徵光譜譜線。
編輯推薦
《低氣壓低溫電漿診斷原理與技術》可供進入低溫電漿技術領域學習與工作的研究生、本科生以及技術人員參考使用。
圖書目錄
第1章 電漿基本概念和性質
1.1 電漿概念
1.1.1 電漿的定義
1.1.2 電漿的分類
1.2 電漿的導電性與準電中性
1.2.1 電漿的導電性
1.2.2 電漿的準電中性
1.3 電漿的基本參量
1.3.1 電漿密度與電離度
1.3.2 電漿溫度
1.3.3 德拜長度
1.3.4 電漿鞘層
1.3.5 電漿頻率
1.3.6 電漿的時空特徵量
1.4 電漿中帶電粒子的擴散
1.5 低氣壓低溫電漿診斷方法概述
參考文獻
第2章 氣體放電電漿基礎
2.1 直流輝光放電
2.1.1 帕邢定律
2.1.2 直流輝光放電特性
2.2 射頻輝光放電
2.2.1 射頻放電過程
2.2.2 射頻電漿中的自偏壓
2.2.3 射頻放電的優點
2.2.4 射頻放電的產生方法
2.3 微波放電
2.4 微波電子迴旋共振放電
參考文獻
第3章 電漿化學基礎
3.1 化學反應的表征
3.2 電漿中的化學反應
3.2.1 同相反應
3.2.2 異相反應
3.3 化學反應鏈
3.4 電漿與表面相互作用
3.4.1 電漿與固體表面的物理作用
3.4.2 離子和電子誘導的表面化學反應
3.4.3 能量傳遞
3.4.4 對薄膜沉積的影響
3.4.5 電漿誘導損傷
參考文獻
第4章 低氣壓低溫電漿的探針診斷
4.1 朗繆爾探針診斷的基本方法
4.1.1 朗繆爾探針結構與工作電路
4.1.2 朗繆爾探針的電壓.電流特性
4.1.3 從探針I-V特性曲線獲取電漿參數
4.1.4 探針診斷的條件、優點與缺點
4.1.5 探針測量誤差的主要來源
4.2 朗繆爾探針的基本理論
4.2.1 無碰撞鞘層
4.2.2 平面探針
4.2.3 圓柱形探針
4.3 非麥克斯韋分布的探針理論
4.4 各向異性電漿的探針診斷
4.5 碰撞對探針診斷的影響
4.6 磁化電漿中的朗繆爾探針
4.6.1 磁場的影響
4.6.2 磁化電漿中的探針測量
4.7 射頻電漿中的朗繆爾探針
4.7.1 射頻電漿中的探針特性
4.7.2 射頻補償方法
4.7.3 無補償的測量條件
4.8 朗繆爾探針方法的空間和時間解析度
4.8.1 朗繆爾探針方法的空間解析度
4.8.2 朗繆爾探針方法的時間解析度
4.9 化學活性電漿的探針診斷
4.9.1 化學活性電漿中的探針污染
4.9.2 發射探針技術
4.9.3 電容耦合探針技術
4.9.4 懸浮探針技術
4.9.5 三探針技術
4.9.6 射頻阻抗探針和電漿振盪探針技術
4.9.7 熱探針技術
4.9.8 探針表面的清洗方法
4.10 探針I-V特性的二次微分方法
4.10.1 探針I-V特性二次微分的微分電路法
4.10.2 探針I-V特性二次微分的交流測量法
4.10.3 探針I-V特性二次微分的數值微分法
4.11 雙探針技術
4.12 其他探針技術
4.12.1 磁探針
4.12.2 能量分析器
4.12.3 射頻電流探針
4.13 低氣壓低溫電漿的探針診斷套用實例
4.13.1 薄膜沉積的探針診斷
4.13.2 脈衝雷射電漿的探針診斷
4.13.3 塵埃電漿的探針診斷
4.13.4 甚高頻放電電漿的探針診斷
參考文獻
第5章 低氣壓低溫電漿的波干涉診斷
5.1 微波干涉法
5.2 傳輸線微波干涉法
5.3 雷射干涉法
5.4 雷射雙色干涉法
參考文獻
第6章 低氣壓低溫電漿的光譜診斷
6.1 電漿光譜的產生機理
6.2 發射光譜
6.2.1 電漿發射光譜的譜特性
6.2.2 發射光譜診斷的實驗裝置
6.2.3 發射光譜方法的優點與缺點
6.3 發射光譜的光化線強度測定法
6.4 電漿溫度的光譜測量
6.4.1 惰性示蹤氣體發射光譜法測量電子溫度
6.4.2 光強比值法測量電子溫度
6.4.3 發射光譜法測量分子轉動溫度、振動溫度
6.5 吸收光譜
6.5.1 吸收光譜原理
6.5.2 吸收光譜實驗裝置
6.6 雷射誘導螢光光譜
6.6.1 雷射誘導螢光原理
6.6.2 雷射誘導螢光光譜的實驗裝置
6.6.3 雷射誘導螢光光譜方法的優點與缺點
6.7 光腔衰盪光譜
6.7.1 光腔衰盪光譜原理
6.7.2 光腔衰盪光譜實驗裝置
6.7.3 光腔衰盪光譜實驗數據的獲得
6.8 低氣壓低溫電漿的光譜診斷套用實例
6.8.1 C基氣體分子放電電漿的光譜診斷
6.8.2 Si基氣體分子放電電漿的光譜診斷
6.8.3 F基氣體分子放電電漿的光譜診斷
6.8.4 電漿材料加工工藝的終點探測
參考文獻
第7章 低氣壓低溫電漿的質譜診斷
7.1 質譜診斷的基本原理
7.2 四極質譜儀
7.2.1 四極質譜儀的主要結構與工作原理
7.2.2 四極質譜儀的解析度
7.2.3 四極質譜儀的標定
7.2.4 四極質譜儀的優點與缺點
7.2.5 AccuQuad 100D四極質譜儀介紹
7.3 飛行時間質譜儀
7.4 磁偏轉質譜儀
7.5 質譜儀與電漿系統的連線
7.5.1 機械連線
7.5.2 電連線
7.6 質譜數據的表示方法
7.6.1 質譜數據的表示
7.6.2 圖形係數
7.7 中性氣體的質譜分析
7.7.1 中性氣體的四極質譜分析技術
7.7.2 中性氣體質譜的成分識別
7.7.3 中性氣體質譜的相對濃度測定
7.8 離子的質譜分析
7.8.1 離子的四極質譜分析技術
7.8.2 離子密度與離子能量分布的確定
7.8.3 電漿的離子質譜分析
7.9 用質譜確定電漿物理基本數據
7.10 低氣壓低溫電漿的質譜診斷套用實例
7.10.1 Si基分子放電電漿的質譜分析
7.10.2 C基分子放電電漿的質譜分析
7.10.3 F基分子放電電漿的質譜分析
7.10.4 脈衝雷射燒蝕Ni、Al、ZnO靶的四極質譜和飛行時間質譜分析
附錄
部分受激原子、分子、離子發光特徵譜線表
