低功率MRAM存儲器陣列

MRAM存儲器陣列是一款電腦軟體，具有非線性字線和線性位線。字線在存儲器單元位置處與位線交叉，並且基本上在交叉點處與位線共存。

基本介紹

  • 中文名：低功率MRAM存儲器陣列
  • 申請號：02121618.5
  • 申請日：2002.05.29
  • 申請人：惠普公司
專利信息,專利簡介,

專利信息

申 請 號：
02121618.5
申 請 日：
2002.05.29
名 稱：
低功率MRAM存儲器陣列
公 開 (公告) 號：
CN1388533
公開(公告)日：
2003.01.01
主 分 類 號：
G11C11/02
分案原申請號：
分 類 號：
G11C11/02;G11C5/00
頒 證 日：
優 先 權：
2001.5.29 US 09/865596
申請(專利權)人：
惠普公司
地 址：
美國加利福尼亞州
發 明 (設計)人：
M·巴塔查里亞
國 際 申 請：
國 際 公 布：
進入國家日期：
專利 代理 機構：
中國專利代理(香港)有限公司
代 理 人：
王勇;王忠忠

專利簡介

當電流通過字線和位線時，在共存點處字線和位線產生的磁場大致對齊。因此結果得到的場的磁化強度大於傳統正交取向場。由於增加了字線和位線產生的場，可使用更小的字線和位線電流，這降低了存儲器陣列需要的尺寸。存儲器陣列還可利用具有用於產生橫向磁場的磁性層的存儲器單元。橫向場與字線和位線產生的磁場正交取向，並且增加存儲器單元的轉換的可重複性。橫向場還減少轉換存儲器單元所需的電流。

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