《以光子帶隙結構為基底的微帶電路及天線特性的研究》是依託清華大學,由高葆新擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:以光子帶隙結構為基底的微帶電路及天線特性的研究
- 依託單位:清華大學
- 項目負責人:高葆新
- 項目類別:面上項目
- 批准號:69971013
- 申請代碼:F0119
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2000-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費:14(萬元)
項目摘要
研究光子帶隙結構的電磁特性,包括通帶和止帶特性、帶內損耗、止帶頻寬、截止深度、周期結構參量、介電常數間的關係。研究以光子帶隙結構為基底的微帶電路,包括濾波器、放大器及微帶天線的特性。光子帶隙結構自身有頻率止帶隙,可以作為微波濾波器、自動抑制諧波雜波的放大器以及單向輻射的微帶天線等,有廣闊套用情景。