主要特徵
產品 | 120GB | 250GB | 500GB | 1TB |
主控 | MGX | MEX |
快取容量 | 256MB | 512MB | 512MB | 1GB |
快閃記憶體 | 三星1xnm 3D V-NAND 3bit快閃記憶體 |
持續讀取(MB/s) | 540 |
持續寫入(MB/s) | 520 |
隨機IOPS 讀 4K QD32 | 94,000 | 97,000 | 98,000 |
隨機IOPS 寫 4K QD32 | 88,000 | 90,000 |
平均故障間隔時間 | 150萬個小時 |
保修年限 | 5年 |
規格參數
基本參數
適用類型:消費類
存儲容量: 120GB
接口類型: SATA3(6Gbps)
硬碟尺寸: 2.5英寸
快取: 256MB
主控晶片: 三星MGX
性能參數
讀取速度: 540MB/s
寫入速度: 520MB/s
電源功耗: 平均:3.7W
待機:4.4W
閒置:50mw
平均無故障時間:150萬小時
其他參數
防震能力: 1500G
外形尺寸: 100×69.85×6.8mm
工作溫度: 0-70℃
存儲溫度: -40-85℃
質保期限: 5年
媒體評價
【PConline 首測】繼著國內SSD的市場逐漸成熟,產品細分化是必然的選擇。三星也諳熟其中市場策略,從830時代開始,三星就推出840PRO、840兩款不同定位的SSD,之後針對840/840Pro升級的840 EVO/850Pro,都瞄準了細分化的市場。更精準的人群定位、更出色的性能表現,更高的性價比讓三星SSD長期占據著銷量榜首位置。
四個問題幫您全面了解三星850EVO:
●問題1:快閃記憶體是否有變化?
跟很多人期待的一樣,快閃記憶體確實有所變化。三星850EVO系列採用基於三星獨家的3D-NAND技術 3bit快閃記憶體。
三星自己的32層3D V-NAND技術,可提供兩倍於傳統20nm平面NAND快閃記憶體的密度和寫入速度。三星850EVO 通過改為32層柱狀細胞結構,可以垂直堆疊更多個細胞層,從而提高密度,降低碳足跡,提供更出色的效能表現以及更好的穩定性、可靠性,並有助於提升3bit快閃記憶體的耐用性。
●問題2:主控上是否有升級?
相比於840EVO 的MEX主控,三星850EVO 120G、250G及500G均採用了最新
MGX主控(1TB版本仍舊是MEX主控)。新一代MGX主控特別針對低容量版本進行隨機讀寫性能的最佳化,且功耗表現更出色,並支持佇列TRIM指令,支持AES-256位加密。
●問題3:三星850EVO的效能表現如何?
三星850EVO除了提供最大1TB容量外,還擁有120G、250G以及500GB三種容量。性能方面,持續讀寫最高都是540MB/s、520MB/s,隨機讀寫最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS,堪稱性能讀寫的佼佼者。此外,相比於840EVO 的3年質保,850EVO提供長達5年的質保,看得出三星對3D V-NAND快閃記憶體還是非常有信心的。
●問題4:850EVO的市場售價如何?主要競爭對手有哪些?
上市時,價格會稍微高一些,有外媒爆料上市價120G/250G/500G/1TB分別是100美元、146美元、258美元、477美元,這樣價格有一些水分,相信國內市場會比這個價格更低一些。提到它的競爭對手,包括浦科特M6S、英睿達MX100、閃迪Ultra等都擁有不俗的競爭力。