一維納米陣列單電子器件的基礎研究

《一維納米陣列單電子器件的基礎研究》是依託北京大學，由張耿民擔任負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：一維納米陣列單電子器件的基礎研究
• 項目負責人：張耿民
• 項目類別：青年科學基金項目
• 依託單位：北京大學
• 批准號：69701001
• 申請代碼：F0122
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
• 支持經費：10（萬元）

項目摘要

將金的納米粒子沉積在石墨表面，用超高真空掃描隧道顯微鏡觀察到了室溫下的庫侖阻塞效應。還製備了金屬納米粒子陣列並測量了其電學特性。觀察了銀粒子在薄膜介質中的生長過程和分形結構。利用抽運—探測光束法研究了薄膜的光學瞬態回響，發現銀納米粒子與有機介質的界面勢壘決定了體系的電學特性。成功地製備了納米碳球，並在室溫下測量出它們具有顯著的非線性電學特性，初步證明了將納米碳球套用於未來電子器件的可行性。用改進的LB法將雙氧叉有機分子有序地排列在了石墨表面，觀察到了由碳—碳三鍵組裝而成的納米線，為今後製備新型納米導線的工作奠定了基礎。