《In2O3納米線陣列的外延生長、摻雜及其套用研究》是依託湖南大學，由萬青擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：In2O3納米線陣列的外延生長、摻雜及其套用研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：萬青
- 依託單位：湖南大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50602014
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：E0207
- 支持經費：25（萬元）
中文摘要
在已經成功製備了ZnO、SnO2、In2O3等新型氧化物半導體一維納米結構的基礎上，本申請採用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術和氣相輸運工藝在釔摻雜的氧化鋯(YSZ)單晶襯底上外延生長大面積的In2O3納米線陣列。研究Au催化劑顆粒大小、襯底溫度、反應氣氛、In2O3過渡層等實驗參數對In2O3納米線陣列生長的影響；對In2O3納米線進行Sn、Ga、Mo等元素的摻雜，以調控其電學、光學特性；在最佳化工藝參數後，結合微細加工技術在ITO/YSZ襯底上製備圖形化的豎直排列的In2O3系列納米線陣列，研究其在真空電子場發射器件領域的潛在套用價值；在兩ITO薄膜電極之間實現In2O3系列納米線的橫向跨越生長，研究這種自主裝的納米線器件在氣敏、濕度感測器領域的套用。
