《一種多晶矽鑄錠用坩堝的氮化矽塗層及其製備方法》是煙臺核晶陶瓷新材料有限公司於2018.09.21申請的專利，該專利的公布號為：CN109020626B，專利公布日：2021.06.15，發明人是：李健; 李聰; 謝炎; 高源。
基本介紹
- 中文名：一種多晶矽鑄錠用坩堝的氮化矽塗層及其製備方法
- 授權公告號：CN109020626B
- 授權公告日：2021.06.15
- 申請號：2018111084827
- 申請日：2018.09.21
- 專利權人：煙臺核晶陶瓷新材料有限公司
- 地址：265300山東省煙臺市棲霞市迎賓路1928號
- 發明人：李健; 李聰; 謝炎; 高源
- Int. Cl.：C04B41/87(2006.01)I; C30B29/06(2006.01)I; C30B28/06(2006.01)I
- 專利代理機構：北京中創博騰智慧財產權代理事務所(普通合夥)11636
- 代理人：王婷婷
專利摘要,對比檔案,
專利摘要
本發明涉及一種多晶矽鑄錠用坩堝的氮化矽塗層及其製備方法，屬於氮化矽塗層製備技術領域，氮化矽塗層各組分的質量百分數占比為：氮化矽粉料35％‑50％，微晶纖維素20％‑30％，矽溶膠5％‑10％，陶瓷粘結劑0.5％‑1％，其餘為水20％‑40％，其製作步驟如下：(1)濕料製備：將氮化矽粉料、水、微晶纖維素、矽溶膠和陶瓷粘結劑按照比例混合通過攪拌機攪拌成為A料；(2)造粒製備：將A料經過擠壓機形成圓柱形條狀擠出物，然後經過滾圓機滾成圓球形顆粒為B料，儲存於顆粒儲存罐內；(3)高壓冷噴塗，不需對坩堝進行加熱處理，利用高壓冷噴技術使氮化矽顆粒撞扁在坩堝表面發生塑性形變並牢固附著，氣孔率低且緻密性良好，產品合格率高，降低了生產成本。
對比檔案
CN 106400109 A,2017.02.15; CN 101180415 A,2008.05.14; CN 105229201 A,2016.01.06; US 5427638 A,1995.06.27
