介質損失因數(tan δ)或稱介質(損耗角)正切,或稱散逸因數（Dissipation Factor ）簡稱DF。
DF狀態,相關性,
DF狀態
理想的電容器其充放電,是以電荷的移動速度(接近光的速度)快速的進行著,但是實際上,電容器有所謂的介質極化作用,即電極間的介質因極化而引起電荷的累積效果。因為介質的極化是慢慢的進行,會有一段時間的延遲,所以常在需要正確充放電的高速積分電路中,引起誤差而造成電路動作錯誤。這介質極化效果和引線的電感(Ls)與引線的電阻(Rs)所引起的損耗的正切,以介質損耗角正切(tan δ)稱之。這介質損耗角正切愈小,愈接近理想的電容器。換言之電容器所損耗的功率(也就是發熱量)愈小愈好,即DF=損耗之能量/儲存之能量。
E:電壓
IC:純電容時知電流
IR:流經電阻成分之電流
I:IC及IR之合成電流
相關性
簡而言之，DF值是高還是低，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關係；當容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。頻率愈高DF值愈高，溫度愈高DF值也愈高。DF 值一般不標註在電容器上或規格介紹上面。在DIY選取電容時，可優先考慮選取更高耐壓的，比如工作電壓為45V時，選用50V的就不很合理。儘管使用50V的從承受電壓正常工作方 面並無不妥，但從DF值方面考慮就欠缺一些。使用63V或71V耐壓的會有更好的表現的。當然 再高了性價比上就不合算了。
