tddb是一種與時間相關電介質擊穿，又叫經時擊穿。
基本介紹
- 中文名：tddb
- 外文名：time dependent dielectric breakdown
- 又叫：經時擊穿
- 方法：在柵極上加恆定的電壓
軟擊穿,硬擊穿,參考資料,
與時間相關電介質擊穿 TDDB（time dependent dielectric breakdown ），又叫經時擊穿。
在柵極上加恆定的電壓，使器件處於積累狀態。這就是一般所說的TDDB（time dependent dielectric breakdown ）。經過一段時間後，氧化膜就會擊穿，這期間經歷的時間就是在該條件下的壽命。
軟擊穿
- 電流、電壓突然增加，或電流噪聲增加；
- 器件還可以正常工作；
- 通常的擊穿模式 (Tox < 5nm)應力電壓比較低；
- 更適用於實際深亞微米器件工作條件。
硬擊穿
- 大電流釋放的能量引起柵氧化層的破裂;
- 器件無法正常工作。
參考資料
SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE CHARACTERIZATION，DIETER K. SCHRODER; Arizona State University ,Tempe, AZ.
