《p-GaN/i-ZnO/n-ZnO一維異質結構有序陣列與LED器件研究》是依託東北師範大學，由劉益春擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：p-GaN/i-ZnO/n-ZnO一維異質結構有序陣列與LED器件研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉益春
- 依託單位：東北師範大學
- 批准號：60576040
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
研究用氧電漿輔助脈衝雷射沉積（PA-PLD）技術在p-GaN/藍寶石基片上自組織生長ZnO納米（管）線陣列的機制；研究雷射功率、電漿羽(plume)形態、基片溫度及氣壓對在p-GaN單晶薄膜上自組織生長的i-ZnO納米（管）線/n-ZnO納米（管）線陣列的密度、組分、結構、光學和電學輸運性質的影響；研究一維p-GaN/i-ZnO納米（管）線/n-ZnO納米（管）線異質結構材料中載流子吸收、激子形成及複合發光的機理；最佳化i-ZnO納米（管）線的長度，研製出在i-ZnO層發射的電注入藍紫色異質結髮光二極體（LED）原型器件。本項目通過在p-GaN和n-ZnO納米（管）線間引入i-ZnO夾層來克服載流子在p-GaN區複合的問題，獲得高質量ZnO納米（管）線陣列藍紫色LED，其相關材料和器件研究是納米科學研究的前沿課題。
