led街燈，相較於傳統的照明技術，LED燈具有較高的效率，及更長的使用壽命。因而成為首選的燈泡類型，以期減少室內/外照明的能耗，得到節能的效果。
基本介紹
- 中文名：led街燈
- 外文名：led街燈
事實上，對於街燈而言，更高的效率和更長的壽命對於降低成本是不可或缺的。為LED燈供電而設計的開關電源也必須具有高效率和耐用性，以確保其具有與LED燈同樣長的免維護使用期。在這裡，諧振轉換器是最流行的電源拓撲之一，這是因為相較於先前的電源拓撲，它們的性能帶來了更高的電源效率，並可減少EMI。軟開關是諧振轉換器的一項重要特點。但諧振轉換器中使用寄生二極體（bodydiode）有時會導致系統失效。儲存在寄生二極體中的電荷必須被完全清除，以避免出現大電流和電壓突波，包括拓撲結構中的高dv/dt和高di/dt。因此，功率MOSFET的關鍵參數如Qrr和反向恢復dv/dt，會直接對諧振轉換器的動態性能產生影響。本文將探討針對LED街燈照明的開關電源之整體解決方案。新的諧振控制器結合新的功率開關，可為LED照明電源提供高效解決方案，同時不會影響轉換器的耐用性和成本效率。
諧振轉換器實現高效率
市場上已經有多款DC-DC功率轉換拓撲可用來減少功率轉換損耗、MOSFET元件應力和射頻干擾（radiofrequencyinterference，RFI），同時實現高功率密度。其中，採用MOSFET的寄生二極體來實現零電壓開關（zerovoltageswitching，ZVS）的諧振轉換器，已獲業界證實為可達到更高效率的有效元件。特別地，由於次級端沒有電感器，LLC諧振轉換器可在高輸入電壓下達到高效率，並且次級整流管上的電壓應力較低。此外，即便空載條件下，LLC諧振轉換器也能確保零電壓開關的工作。ZVS技術能夠大幅地減少轉換損耗並大幅提高效率。零電壓開關也顯著地減少了開關雜訊，允許使用小型電磁干擾濾波器。鑒於這些獨特的特性，LLC諧振轉換器正成為一種廣為業界所採用的拓撲，用於包括LED街燈的眾多套用之中。FAN7621S提供了建構可靠、穩健LLC諧振轉換器所需的全部功能，包含高端閘極驅動電路、精確的電流受控振湯器、頻率限制電路、軟啟動和內建的保護功能，能夠簡化設計和提高生產力。它所提供的多種保護功能包括了過壓和過流保護（OVP/OCP）、異常過流保護（AOCP）和內部過熱關斷（TSD）功能。
鑒於LED街燈照明的特殊套用要求，所有的保護功能可以自動重新啟動，高端閘極驅動電路具有共模消噪性能和優良的抗噪性能，以確保工作時的穩定性。即便使用最新的諧振控制器，在短路輸出狀況下，轉換器的工作點可以移入零電流開關（ZCS）區域。圖1所示為工作點的移動狀況。在此一狀況下，ZVS丟失而MOSFET上流過極大的電流。ZCS工作的最嚴重缺點是在啟動時發生硬開關，這會導致MOSFET寄生二極體產生反向恢復應力。寄生二極體在很大的dv/dt下關斷，因而，在非常大的di/dt下，會產生很大的反向恢復電流突波，這些突波電流的幅度可以超過穩態電流的十倍以上。大電流會帶來相當大的損耗增加並使MOSFET發熱。而後，MOSFET的dv/dt性能由於結點溫度上升而下降，在極端狀況下，可能會毀掉MOSFET並導致系統失效。
諧振轉換器實現高效率
市場上已經有多款DC-DC功率轉換拓撲可用來減少功率轉換損耗、MOSFET元件應力和射頻干擾（radiofrequencyinterference，RFI），同時實現高功率密度。其中，採用MOSFET的寄生二極體來實現零電壓開關（zerovoltageswitching，ZVS）的諧振轉換器，已獲業界證實為可達到更高效率的有效元件。特別地，由於次級端沒有電感器，LLC諧振轉換器可在高輸入電壓下達到高效率，並且次級整流管上的電壓應力較低。此外，即便空載條件下，LLC諧振轉換器也能確保零電壓開關的工作。ZVS技術能夠大幅地減少轉換損耗並大幅提高效率。零電壓開關也顯著地減少了開關雜訊，允許使用小型電磁干擾濾波器。鑒於這些獨特的特性，LLC諧振轉換器正成為一種廣為業界所採用的拓撲，用於包括LED街燈的眾多套用之中。FAN7621S提供了建構可靠、穩健LLC諧振轉換器所需的全部功能，包含高端閘極驅動電路、精確的電流受控振湯器、頻率限制電路、軟啟動和內建的保護功能，能夠簡化設計和提高生產力。它所提供的多種保護功能包括了過壓和過流保護（OVP/OCP）、異常過流保護（AOCP）和內部過熱關斷（TSD）功能。
鑒於LED街燈照明的特殊套用要求，所有的保護功能可以自動重新啟動，高端閘極驅動電路具有共模消噪性能和優良的抗噪性能，以確保工作時的穩定性。即便使用最新的諧振控制器，在短路輸出狀況下，轉換器的工作點可以移入零電流開關（ZCS）區域。圖1所示為工作點的移動狀況。在此一狀況下，ZVS丟失而MOSFET上流過極大的電流。ZCS工作的最嚴重缺點是在啟動時發生硬開關，這會導致MOSFET寄生二極體產生反向恢復應力。寄生二極體在很大的dv/dt下關斷，因而，在非常大的di/dt下，會產生很大的反向恢復電流突波，這些突波電流的幅度可以超過穩態電流的十倍以上。大電流會帶來相當大的損耗增加並使MOSFET發熱。而後，MOSFET的dv/dt性能由於結點溫度上升而下降，在極端狀況下，可能會毀掉MOSFET並導致系統失效。
