drmos

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DrMos技術屬於Intel在04年推出的伺服器主機板節能技術,三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。套用DrMOS的主機板能擁有節能、高效能超頻、低溫等特色。

基本介紹

  • 外文名:drmos
  • 功能:更穩定,更節能
  • 特色:節能、高效能超頻、低溫
  • 最大溫度:68.9攝氏度
DrMOS簡介,特點,

DrMOS簡介

三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4,功率密度是分離MOSFET的3倍,增加了超電壓和超頻的潛力。套用DrMOS的主機板能擁有節能、高效能超頻、低溫等特色。

特點

DrMOS的特點,它能夠在主機板高負荷運作時,比其他廠牌同級主機板有更高的用電效率,減少能源浪費,進而達到省電的效果;而在超頻效果上,透過DrMOS的超低電 源反應時間和低阻抗特性,可以輕鬆應付狂熱玩家對高端主機板更嚴苛的超頻工作,大幅提升整體效能。
此外,系統在高負荷運作時,DrMOS晶片的發熱量低,減少了熱能產生,自然也降低了風扇噪音,增加系統穩定性。經測試,同樣條件下,傳統供電部分的MOSFET溫度可達121攝氏度,而DrMOS最大溫度為68.9攝氏度,DrMOS溫度要比傳統供電部分的MOSFET溫度約低一半,無疑會給用戶帶來超穩定的工作效率,對超頻用戶來說更是如虎添翼。

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