《XMCD和XAFS研究Mn(Co)-Ge(GeSi)稀磁半導體的結構及磁性》是依託中國科學技術大學，由孫治湖擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：XMCD和XAFS研究Mn(Co)-Ge(GeSi)稀磁半導體的結構及磁性
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：孫治湖
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：10404023
- 申請代碼：A2001
- 負責人職稱：副研究員
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：28（萬元）
中文摘要
兼有電荷和自旋兩種特性的稀磁半導體，將成為新一代的信息處理和存儲、量子計算和量子通訊等領域的重要材料。製備出常溫居里溫度的稀磁半導體和確定Mn及其它摻入元素對稀半導體的電學和磁學性質的影響規律，是當前需要解決的首要問題。本項目擬用分子束外延、離子束注入、磁控共濺射方法製備不同Mn分布形式的Mn-Ge模型樣品和生長高居里溫度的Mn(Co)-Ge、Mn(Co)-GeSi稀磁半導體。利用具有元素特徵的同步輻射磁性圓二色譜(XMCD)和螢光X射線吸收譜(XAFS)等方法分別研究Mn(Co)-Ge(Si)稀磁半導體中Mn、Ge、Co的原子結構、電子結構，及Mn和Co的電子自旋狀態，了解替位Mn、間隙Mn、Mn團簇、MnGe化合物與其稀磁半導體居里溫度的關係，明確其電磁性受生長條件、退火溫度等因素的影響，認識Co對提高其鐵磁相穩定性的作用。為製備高居里溫度的IV族稀磁半導體提供理論和實驗依琚。
