《WTe2單晶樣品的極大磁阻效應隨摻雜的演變及其機理研究》是依託上海大學，由陳飛擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：WTe2單晶樣品的極大磁阻效應隨摻雜的演變及其機理研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：陳飛
- 依託單位：上海大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
磁阻效應在現代科技產品中有著重要而廣泛的套用，包括磁感測器、磁卡和硬碟等。近年來人們在非磁材料中發現了極大磁阻效應，對於其機理的理解是拓展相關材料實際套用價值的關鍵。本項目將著重研究二硫族化合物WTe2中出現極大磁阻效應的機理，其目前兩個可能的解釋分別是近乎完美平衡的電子空穴載流子（即費米面拓撲結構）和很強的自旋軌道耦合作用。本項目將合成一系列高質量的WTe2摻雜單晶樣品來調節其費米面拓撲結構和自旋軌道耦合作用，利用輸運測量給出其磁阻效應和量子振盪並計算出其費米面拓撲結構，利用角分辨光電子能譜技術直接給出其費米面拓撲結構，同時結合第一性原理計算，從而分別得到極大磁阻效應和費米面拓撲結構及自旋軌道耦合之間一一對應的關係，並幫助解釋WTe2中出現極大磁阻效應的機理。本項目將為進一步探索新型具有極大磁阻效應的材料和研究極大磁阻效應在室溫下實現的可能性鋪平道路。
結題摘要
磁阻效應在現代科技產品中有著重要而廣泛的套用，包括磁感測器、磁卡和硬碟等。近年來人們在非磁材料中發現了極大磁阻效應，對於其機理的理解是拓展相關材料實際套用價值的關鍵。本項目將著重研究二硫族化合物WTe2中出現極大磁阻效應的機理，其目前兩個可能的解釋分別是近乎完美平衡的電子空穴載流子（即費米面拓撲結構）和很強的自旋軌道耦合作用。目前的研究表明傳統的氣相輸運法和助溶劑法難以生長出摻雜的WTe2單晶樣品，需要通過PLD或者MBE等薄膜生長設備來合成其摻雜樣品，利用原位的ARPES測量其電子結構，利用PPMS研究其磁阻效應，從而分別得到極大磁阻效應和費米面拓撲結構及自旋軌道耦合之間一一對應的關係，並幫助解釋WTe2中出現極大磁阻效應的機理。本項目將為進一步探索新型具有極大磁阻效應的材料和研究極大磁阻效應在室溫下實現的可能性鋪平道路。
