《VLSI金屬互連電遷移失效的多參量表征方法》是依託西安電子科技大學，由杜磊擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：VLSI金屬互連電遷移失效的多參量表征方法
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：杜磊
- 依託單位：西安電子科技大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F0406
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 批准號：60376023
- 支持經費：20（萬元）
中文摘要
金屬互連可靠性已成為阻礙深亞微米VLSI尺度進一步縮小的瓶頸之一。無論是目前仍普遍套用的Al互連，還是新發展的Cu互連,電遷移都是主要的失效機制。傳統的單參量表征技術不能滿足日益複雜化的互連技術可靠性評估的需求。本項目將探索新的多參量電遷移表征方法，在電阻和噪聲功率譜密度表征參量的基礎上，構建基於噪聲子波分析的電遷移表征新參量，建立能對電遷移各階段進行統一描述的物理模型，篩選電遷移表征參量集合及參量提取方法，為針對VLSI金屬互連可靠性的快速評估和最佳化設計奠定基礎。
