《UMG矽襯底上垂直有序微納矽孔陣列太陽電池研究》是依託中國科學院電工研究所，由趙雷擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：UMG矽襯底上垂直有序微納矽孔陣列太陽電池研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：趙雷
- 依託單位：中國科學院電工研究所
- 批准號：61076053
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2011-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：15（萬元）
項目摘要
採用陽極氧化鋁（AAO）模板結合金屬催化化學刻蝕，在高純冶金級（UMG）矽襯底上製備垂直有序的微納矽孔陣列，經濕化學方法進行表面鈍化處理後，在其上製備非晶矽/晶體矽異質結（HIT）結構的太陽電池。本項目所提出的這種太陽電池將UMG矽材料的低成本與納米線太陽電池的高陷光高載流子收集特性和HIT太陽電池的優異界面鈍化特性有機結合起來，能夠成為製備低成本高效率矽太陽電池的有效途徑。本項目重點研究UMG矽襯底上有序陽極氧化鋁模版的形成機制，金屬催化化學刻蝕UMG矽襯底的反應過程與微納矽孔的形成機理，以及矽孔表面懸掛鍵鈍化機制與鈍化質量控制，最終在UMG矽襯底上製備出微納矽孔陣列太陽電池原型器件。
