TDMOS是由飛利浦開發成功的工藝。 由飛利浦開發成功TrenchMOS工藝。其柵結構不是與裸片表面平行，現在是構建在溝道之中，垂直於表面，因此，占用的空間較少並且使電流的流動真正是垂直的(見圖)。在RDS(on)相同的情況下，飛利浦的三極體把面積減少了50%；或者，在相同的電流處理能力下，把面積減少了35%。（請參考詞條VDMOS）
