TDM-200晶控膜厚儀適用於高頻濺射、直流濺射、電阻蒸發、離子束、電子束等鍍膜套用場合，線上測量膜層的厚度，可用於批量生產，也可用於薄膜材料研究。本儀器具有高速高精度測量系統，可提高鍍膜的質量和可重複性，具有精確穩定、易於操作、配置靈活的特點。還提供了監測和控制功能，您可通過液晶顯示屏連續獲取沉積速率、厚度和晶片頻率；並可通過計算機記錄數據並實時描繪厚度曲線和速率曲線。
基本介紹
- 中文名：TDM-200晶控膜厚儀
- 類別：儀器
- 性質：高頻濺射、直流濺射
- 特點：可配合多源鍍膜系統
簡介,基本參數,
簡介
TDM-200晶控膜厚儀適用於高頻濺射、直流濺射、電阻蒸發、離子束、電子束等鍍膜套用場合，線上測量膜層的厚度，可用於批量生產，也可用於薄膜材料研究。本儀器具有高速高精度測量系統，可提高鍍膜的質量和可重複性，具有精確穩定、易於操作、配置靈活的特點。還提供了監測和控制功能，您可通過液晶顯示屏連續獲取沉積速率、厚度和晶片頻率；並可通過計算機記錄數據並實時描繪厚度曲線和速率曲線。
▲ TDM-200型膜層控制儀採用全中文人機操作界面,方便您的編程和操作。
▲ 頻率計算精度和顯示解析度達到0.1Hz，計算速率達到每秒四次，為您製備薄膜提供了有力支持。
▲提供了RS-232接口，您可對鍍膜過程進行遙控。並可通過計算機實時描繪厚度曲線和速率曲線。
▲對於多層膜中的關鍵膜層，您可使用特定的擋板探頭監測，大大提升產品成膜質量和精度。
▲可配合多源鍍膜系統，並為您提供了256種材料參數供使用。
▲ 連續鍍膜還設計了自動監控方式，簡化您的操作。
▲ 19英寸標準機箱，備有適配電纜，易於安裝至現有的裝置中。
基本參數
測量
頻率計算精度 ±0.1Hz(在6.0MHz頻率時)
頻率顯示精度 0.1Hz
測量速率 4Hz
顯示
厚度顯示 000000埃～999999埃
速率顯示 000.0～999.9埃/s
時間顯示 00:00:00～23:59:59（時:分:秒）
層數 01～99層
圖形顯示 240x64LCD，低功耗LED背光
存儲能力
層 99層
材料庫 256種材料參數
膜層參數
層 01～99
厚度 000000～999999 埃
材料 分子式（最長10個字元）
密度 00.00～99.99g/cm3
工具因子 00.00～99.99
Z因子 00.00～99.99
探頭 A、B、C、D
探頭擋板 “無”或 “有” 系統參數
擋板延遲 00:00～99:99(分:秒)
鍍膜方式 “單層”、“多層”
控制方式 “手動”、“自動”
啟動延遲 00:00～99:99(分:秒)
輸出控制能力
源擋板 4個
探頭擋板 4個
監控能力
源 4個
探頭數量 4個
通信
通訊接口 標配RS-232串列口
Windows軟體 隨機附帶
其它
供電要求 220V（±5%），50Hz，
功率<30W
工作溫度 0℃～50℃
儀器尺寸 112 x 480x360（高x寬x
深），可用於19’標準工業
機架
儀器重量 5.0Kg
