TDA8947J 包含一個獨一無二的保護電路,它只與在晶片內部的多個溫度的測量值相關。這為所有沒有不必要的音頻孔時的電源電壓和負荷條件提供了最大輸出功率。只要熱邊界條件(使用的通道數、外部散熱片和周圍環境溫度)允許,幾乎可以對電源電壓和負荷阻抗進行任何組合。
基本介紹
- 中文名:TDA8947J
- SE:1W到25W
- BTL:4W到50W
- 套用舉例:電視、低頻音箱
晶片簡介,晶片特點,套用舉例,主要參數,結構框圖,引腳配置,引腳功能配置,引腳功能說明,典型套用,電源退耦,
晶片簡介
TDA8947J 包含四個相同的音頻功率放大器。TDA8947J 可以用作:四個固定增益為 26dB 的單(SE) 通道,固定增益為 32 dB 的橋接式負載 (BTL) 雙通道,或 SE 雙通道(增益為 26 dB)及一個作為 2.1 系統使用的 BTL 通道(增益為 32 dB)。
TDA8947J 採用 17 插腳 Dil-Bent-Sil (DBS) 功率封裝。TDA8947J 的插腳與 TDA8944AJ和 TDA8946AJ 的插腳兼容。
晶片特點
■ SE:1 W 到 25 W, BTL:4 W 到 50 W 操作範圍(2.1 系統)
■ 柔性剪峰
■ 待機與靜音模式
■ 無開 / 關切換聲
■ 低待機電流
■ 高電源電壓漣波去除率
■ 針對接地、電源和跨接負荷的輸出短路保護
■ 熱保護
■ 插腳與 TDA8944AJ 和 TDA8946AJ 的插腳兼容
套用舉例
■ 電視
■ PC 揚聲器
■ 低頻音箱
■ 迷你型和微型音頻接收器
主要參數
符號 | 參數 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
VCC | 電源電壓 | 工作時 | 9 | 18 | 26 | V |
無 (剪峰)信號 [1] | - | - | 28 | V | ||
Iq | 靜態電源電流 | VCC = 18 V ;RL = ∞ | - 100 | - | 145 | mA |
Istb | 待機電源電流 | - | - | 10 | μA | |
Po(SE) | SE 輸出功率 | THD = 10 % ;RL = 4 Ω | ||||
VCC = 18 V | 7 | 8.5 | - | W | ||
VCC = 22 V | - | 14 | - | W | ||
Po(BTL) | BTL 輸出功 | THD = 10 % ;RL = 8 Ω | ||||
VCC = 18 V | 16 | 18 | - | W | ||
VCC = 22 V | - | 29 | - | W | ||
THD | 總諧波失真 | SE:Po = 1 W | - | 0.1 | 0.5 | % |
BTL:Po = 1 W | - | 0.05 | 0.5 | % | ||
Gv(max) | 最大電壓增益 | SE | 25 | 26 | 27 | dB |
BTL | 31 | 32 | 33 | dB | ||
SVRR | 電源電壓漣波去除率 | SE :f = 1 kHz | - | 60 | - | dB |
BTL :f = 1 kHz | - | 65 | - | dB |
[1]只要不超過 IC 的額定值,該放大器就可以為額定負荷提供無剪峰輸出信號的輸出功率。
結構框圖
TDA8947J電路結構框圖
引腳配置
引腳功能配置
引腳配置圖
引腳功能說明
符號 | 插腳 | 說明 |
OUT1+ | 1 | 通道1 的擴音器非反相輸出 |
GND1 | 2 | 通道1 和通道2 的接地 |
VCC1 | 3 | 電源電壓通道1 和通道2 |
OUT2− | 4 | 通道2 的擴音器反相輸出 |
MODE2 | 5 | 模式選擇2 輸入:通道3 和通道4 的靜音和開啟模式 |
IN2+ | 6 | 輸入通道2 |
SGND | 7 | 信號接地 |
IN1+ | 8 | 輸入通道1 |
IN3+ | 9 | 輸入通道3 |
MODE1 | 10 | 模式選擇1 輸入:所有通道的待機、靜音和開啟模式 |
SVR | 11 | 半電源電壓退耦(漣波去除率) |
IN4+ | 12 | 輸入通道4 |
CIV | 13 | 通常輸入電壓退耦 |
OUT3− | 14 | 通道3 的擴音器反相輸出 |
GND2 | 15 | 通道3 和通道4 的接地 |
VCC2 | 16 | 電源電壓通道3 和通道4 |
OUT4+ | 17 | 通道4 的擴音器非反相輸出 |
TAB | - | 後側卡片或散熱片必須接地 |
典型套用
無開 / 關切換聲的典型套用圖
電源退耦
要獲得低噪音性能和較高的電源電壓漣波去除率,適當的電源旁路非常關鍵。相應的電容器位置應該儘可能靠近設備,並接地到電源地。適當的電源退耦還可以防止發生振盪。為了抑制電源線路上出現較高頻率的瞬態(尖峰),必須將一個低 ESR 電容器(通常為100 nF)放在儘可能靠近設備的位置。為了抑制較低頻率的噪音和漣波信號,必須將一個大的電解電容器(例如 1 000 μF 或更大)放在靠近設備的位置。插腳 SVR 上的旁路電容器可以減少中間軌電壓的噪音和漣波。為了獲得良好的 THD 和噪音性能,建議使用低 ESR 電容器。