《SmCo5垂直磁化膜的製備及其形成機理研究》是依託華中科技大學，由繆向水擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：SmCo5垂直磁化膜的製備及其形成機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：繆向水
- 依託單位：華中科技大學
- 批准號：50871043
- 申請代碼：E0107
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：36（萬元）
中文摘要
信息技術與信息產業的發展要求硬碟具有更大的容量與更高的記錄面密度, 而硬碟實現更高記錄密度的關鍵之一是採用更高磁晶各向異性的記錄介質。SmCo5薄膜因具有極高的磁晶各向異性適合用作未來超高密度磁記錄的侯選材料。本項目採用濺射基片加溫、真空磁場熱退火等特殊工藝製備SmCo5晶態垂直磁化膜, 通過實驗測試結果分析與單離子模型計算, 闡明SmCo5垂直磁化膜的形成機理。在此基礎上, 採用軟磁底層與籽晶層來提高SmCo5薄膜晶粒的垂直取向度與垂直磁各向異性, 採用第一性原理計算元素摻雜對SmCo5薄膜晶體結構與磁性能的影響,添加合適的元素來提高SmCo5薄膜相結構的穩定性,控制其晶粒尺寸與磁性能,形成高性能的SmCo5垂直磁化膜。預期研究成果對於實現超高密度磁記錄具有重要意義。
