《Si基ZnO薄膜的表面/界面工程與第一性原理計算》是依託北京師範大學，由英敏菊擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：Si基ZnO薄膜的表面/界面工程與第一性原理計算
- 依託單位：北京師範大學
- 項目負責人：英敏菊
- 項目類別：青年科學基金項目
- 批准號：10604007
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
針對矽表面容易被氧化而阻礙高質量ZnO的外延生長這一難題，我們首先利用第一性原理計算和分子動力學模擬，分析超高真空條件下三價金屬如鋁、鎵等或二價金屬如鋅、鎂等原子在清潔Si(111)表面上的成鍵特點以及形成穩定氮化物或氧化物的條件，最佳化設計矽基氧化鋅外延體系的界面工程，進一步研究金屬氮化物或氧化物界面層的原子結構對氧化鋅外延膜面內取向和極性選擇的影響，提出適合單一極性ZnO生長的界面工程方案；並與實驗研究相結合，利用射頻電漿輔助分子束外延技術，採用獨特的Si（111）表面/界面工程,製備出單一極性的高質量ZnO單晶薄膜，從而在矽基氧化鋅這一具有巨大工業套用前景的外延體系中獲得突破性進展。
