《Si基片SiC過渡層的ZnO異質外延及其光電特性》是依託中國科學技術大學，由傅竹西擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Si基片SiC過渡層的ZnO異質外延及其光電特性
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：傅竹西
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：50472009
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：28（萬元）
中文摘要
本課題主要探索用SiC為過渡層在Si基片上外延ZnO單晶薄膜,並研究其光電特性，以期製備出性能優異的光電器件。外延高質量ZnO薄膜是提高發光性能、製備良好的p-n結的基礎，也是開ZnO光電器件的首要問題。同質外延由於價格昂貴而不利於推廣套用，因此，採用價格低廉的異質外延製備ZnO單晶薄膜是值得探索和正在探索的方向。Si是非常成熟、套用最廣而又價格最便宜的半導體材料，用Si基片外延ZnO不僅可以大大降低成本，而且有利於光電集成。但由於晶格失配和熱失配嚴重，很難直接在Si上外延出ZnO單晶薄膜。本課題採用SiC作過渡層就是為了解決上述問題而提出的、國內外還沒有人探索過的新方法。為此研製的具有獨特功能的連通式雙反應室高溫MOCVD設備，可避免ZnO和SiC在生長時的交叉污染，保證了該構想的實施。初步實驗結果表明該方法不僅可改善ZnO薄膜的結晶狀況，同時還可能產生新的特性，製備出新型光電器件。
